[發明專利]Si/Ge超晶格量子級聯激光器及其制備方法有效
| 申請號： | 201510726305.5 | 申請日： | 2015-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN105429001B | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 舒斌;吳繼寶;古牧;范林西;陳景明;張鶴鳴;宣榮喜;胡輝勇;宋建軍;王斌 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01S5/30 | 分類號： | H01S5/30;H01S5/34 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | si ge 晶格 量子 級聯 激光器 及其 制備 方法 | ||
1.一種Si/Ge超晶格量子級聯激光器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、420℃溫度條件下，通過低分子束外延法在硅襯底上生長厚度為300nm的Si0.5Ge0.5緩沖層；
S2、420℃溫度條件下，通過低溫分子束外延法在所得的Si0.5Ge0.5緩沖層上生長厚度為5nm的Ge材料；
S3、420℃溫度條件下，通過低溫分子束外延法在所得的Ge材料上生長厚度為5nm的Si材料；
S4、520℃溫度條件下，通過低溫分子束外延法在所得的Si材料上生長厚度為5nm的Ge材料；
S5、重復步驟S3和步驟S4，得到10-30層的Si/Ge；
S6、900℃溫度條件下，通過濕氧氧化在步驟S5所得的結構上生長一層大于150nm的SiO2；
S7、通過金屬蒸發工藝在所得的硅鍺超晶格頂部和Si0.5Ge0.5緩沖層上沉積鋁電極，得Si/Ge超晶格量子級聯激光器。
2.根據權利要求1所述的Si/Ge超晶格量子級聯激光器的制備方法，其特征在于，所述Si0.5Ge0.5緩沖層為5nm的硅和5nm的鍺交互生長形成硅鍺超晶格結構。
3.根據權利要求1所述的Si/Ge超晶格量子級聯激光器的制備方法，其特點在于，所述的Si0.5Ge0.5緩沖層的硅鍺比例為1∶1。
4.根據權利要求1所述的Si/Ge超晶格量子級聯激光器的制備方法，其特點在于，所述鋁電極從下至上依次為鈦、鋁，工藝條件為，鈦層厚度為20nm，生長速度為鋁層厚度為130nm，10nm內生長速率為10nm到130nm內生長速率為
5.一種基于權利要求1-4任意一種Si/Ge超晶格量子級聯激光器的制備方法制備得到的Si/Ge超晶格量子級聯激光器，其特征在于，從下往上依次包括硅襯底、Si0.5Ge0.5緩沖層、硅鍺超晶格和SiO2，硅鍺超晶格頂部和Si0.5Ge0.5緩沖層上沉積鋁電極。
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