[發明專利]具有高負載電流能力的低靜默電流電壓調節器有效
| 申請號： | 201510726136.5 | 申請日： | 2015-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN105573394B | 公開（公告）日： | 2018-10-23 |
| 發明（設計）人： | 阿南塔薩亞南·切拉帕 | 申請（專利權）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷蘭埃因霍溫高科*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 負載 電流 能力 靜默 電壓 調節器 | ||
1.一種電壓調節器，其特征在于，包括：
一組電流鏡電路，配置為將輸入電壓轉換為輸出電壓，其中該組電流鏡電路形成正反饋回路；以及
電壓緩沖電路，配置為為該組電流鏡電路而緩沖參考電壓，所述電壓緩沖電路包括連接在參考電壓與該組電流鏡電路的一個晶體管的源極之間的源極跟隨器晶體管，以及其中所述源極跟隨器晶體管的漏極直接連接到地。
2.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：所述正反饋回路的環路增益小于1。
3.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：輸出電壓小于輸入電壓。
4.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：輸入電壓與輸出電壓為直流(DC)電壓。
5.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：該組電流鏡電路包括第一電流鏡電路與第二電流鏡電路，其中第一電流鏡電路的輸入端連接到第二電流鏡電路的輸出端，以及第一電流鏡電路的輸出端連接到第二電流鏡電路的輸入端。
6.根據權利要求5所述的電壓調節器，其特征在于：第一電流鏡電路包括第一PMOS晶體管與第二PMOS晶體管，以及其中第二電流鏡電路包括第一NMOS晶體管與第二NMOS晶體管。
7.根據權利要求5所述的電壓調節器，其特征在于：第一、第二PMOS晶體管的柵極端互相連接，以及第二PMOS晶體管的柵極端連接到第二PMOS晶體管的漏極端。
8.根據權利要求7所述的電壓調節器，其特征在于：第一、第二NMOS晶體管的柵極端互相連接，以及其中第二NMOS晶體管的柵極端連接到第二NMOS晶體管的漏極端。
9.根據權利要求8所述的電壓調節器，其特征在于：第一PMOS晶體管的漏極端連接到第一NMOS晶體管的漏極端，以及第二PMOS晶體管的漏極端連接到第二NMOS晶體管的漏極端。
10.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：所述參考電壓低于所述輸入電壓與所述輸出電壓。
11.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：進一步包括啟動電路，配置為為該組電流鏡電路而生成啟動電流。
12.根據權利要求11所述的電壓調節器，其特征在于：所述啟動電路包括連接至輸入端的電阻，輸入電壓自所述電阻而被輸入進入所述電壓調節器而至該組電流鏡電路。
13.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：進一步包括連接到輸出端的電阻，輸出電壓自所述電阻而從所述電壓調節器被輸出至該組電流鏡電路。
14.根據權利要求1所述的電壓調節器，其特征在于：輸入電壓約為3.3V，輸出電壓約為1.8V。
15.一種電壓調節器，其特征在于，包括：
一組電流鏡電路，配置為將輸入直流(DC)電壓轉換為輸出DC電壓，其中該組電流鏡電路形成環路增益小于1的正反饋回路，以及其中輸出電壓低于輸入電壓；以及
電壓緩沖電路，配置為為該組電流鏡電路而緩沖參考DC電壓，所述電壓緩沖電路包括連接在參考DC電壓與該組電流鏡電路的一個晶體管的源極之間的源極跟隨器晶體管，以及其中所述源極跟隨器晶體管的漏極直接連接到地。
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