[發明專利]一種雙組份加成型防沉降導電硅膠及其制備方法

在審

• 申請號: 201510724339.0
• 申請日: 2015-10-30
• 公開（公告）號: CN105199623A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 王守立;萬煒濤;陳田安
• 申請（專利權）人: 深圳德邦界面材料有限公司
• 主分類號: C09J9/02
• 分類號: C09J9/02;C09J183/07;C09J11/08;C09J11/06;C09J11/04
• 代理公司: 煙臺上禾知識產權代理事務所(普通合伙) 37234
• 代理人: 蒲篤賢

技術領域

本發明涉及一種導電硅膠及其制備方法，尤其涉及一種防沉降導電硅膠及其制備方法，屬于電磁屏蔽界面要求的有機吸波材料領域。

背景技術

隨著現代高新技術的發展，電磁波引起的電磁干擾(EMI)和電磁兼容(EMC)問題日益嚴重，不但對電子儀器、設備造成干擾與損壞，影響其正常工作，而且也會污染環境，危害人類健康；另外電磁波泄漏也會危及國家信息安全和軍事核心機密的安全。因此，探索高效的電磁屏蔽材料，防止電磁波引起的電磁干擾和電磁兼容問題，對于提高電子產品和設備的安全可靠性，確保信息通信系統、網絡系統、傳輸系統的安全暢通均具有重要的意義。

目前市場上存在很多導電膠水，但有幾個致命的缺陷：一是保質期很短，一般只有3個月左右，而且如果保存不當或放置時間較長，則將會出現無法點膠現象，致使產品無法使用；二是貯存穩定性差，存放一段時間后，會出現導電粉沉降，導致施膠工藝繁雜、導電性能下降；三是對法蘭表面粘結性能差。

鑒于上述電磁屏蔽材料的急缺以及導電膠水存在的不足，研發出具有電磁屏蔽效果的導電膠水已成為一個迫在眉睫的問題。

發明內容

本發明針對現有導電膠水存在的不足，提供一種雙組份加成型防沉降導電硅膠及其制備方法。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：

一種雙組份加成型防沉降導電硅膠，其特征在于，由A組份和B組份按

質量比1：1混合而成，所述A組份包括如下重量份的原料：

所述B組份包括如下重量份的原料：

所述基料是由乙烯基硅油80～120份、氣相法白炭黑50～70份、六甲基二硅氮烷3～8份與蒸餾水0.2～1份脫水共混制得；

所述改性導電粉是指表面包覆有偶聯劑的導電粉。

進一步，所述的乙烯基硅油是指含有乙烯基的聚二有機基硅氧烷液體膠，硅氧烷液體膠的分子量為2～50w。

進一步，所述的導電粉是指純銀導電粉、純鎳導電粉、鎳包石墨導電粉、銀包鋁導電粉、銀包銅導電粉、銀包鎳導電粉、銀包玻璃導電粉中的一種或兩種以上的混合物。

進一步，所述的抑制劑為2-甲基-3-丁炔基-2醇、3-甲基-1-乙炔基-3-醇、3，5-二甲基-1-己炔基-3-醇、1-乙炔基-1-環己醇和多乙烯基聚硅氧烷中的至少一種。

進一步，所述的稀釋劑為二甲基硅油、四甲基四乙烯基環四硅氧烷、八甲基環四硅氧烷或六甲基二硅氧烷中的至少一種。

進一步，所述的含氫硅油是指甲基氫硅油、甲基苯基硅油、羥基含氫硅油中的一種或兩種以上的混合物。

進一步，所述的偶聯劑為硅烷偶聯劑A-171、鈦酸酯偶聯劑KR-TTS、鋁酸酯偶聯劑DL-411、含環氧基、羥基、腈基、羰基、酯基的硅烷偶聯劑中的一種或兩種及以上的混合物。

本發明的有益效果是：

1)本發明的加成型防沉降導電硅膠，具有穩定的存儲性，硫化完全后具有優異的電氣及物理特性，耐候性、耐高低溫等性能；

2)本發明所提供的加成型防沉降導電硅橡膠用作FIP點膠，可防止導電膠在存儲、運輸過程中的沉降；硫化后的膠條具有優異的韌性；在各種各樣的塑料和金屬基板上，具有良好的粘結性，尤其對鋁板的粘結性。

本發明還要求保護上述雙組份加成型防沉降導電硅膠的制備方法，包括如下步驟：

1)導電粉干燥：將導電粉體干燥除去水分；

2)導電粉包覆：對步驟1)中所得的粉體采用濕法進行表面處理，即將偶聯劑與95％的乙醇溶液混合，使其水解，然后將導電粉體加入其中，所得混合物經充分攪拌混合后，水浴加熱將乙醇揮發，得到表面包覆上一層偶聯劑的導電粉，即改性導電粉；

3)制備防沉降型基料：將乙烯基硅油80～120份、氣相法白炭黑50～70份、六甲基二硅氮烷3～8份與蒸餾水0.2～1份置于真空捏合機內，于100～150℃、壓力﹤0.01Mpa的條件下脫水共混得防沉降型基料；

4)制備A組份：取步驟3)中所得的基料20～60份、含氫硅油2～10份、抑制劑0.005～1份、稀釋劑5～15份、偶聯劑0.005～2份、改性導電粉40～75份攪拌混合均勻；

5)制備B組份：取步驟3)中所得的基料20～60份、鉑催化劑0.0001～0.0005份、稀釋劑5～15份、偶聯劑0.005～2份、改性導電粉40～75份攪拌混合均勻；

6)混合：將A組份和B組份按質量比1：1混合均勻后，置于壓力﹤0.01Mpa的條件下脫泡20～40分鐘，獲得防沉降導電硅膠。