[發明專利]一種光纖預制棒及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 201510718658.0 | 申請日： | 2015-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN106630652A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 申云華;王毅強 | 申請（專利權）人： | 上海亨通光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C03C13/04 | 分類號： | C03C13/04;C03B37/018 |
| 代理公司： | 上?？剖⒅R產權代理有限公司31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200436 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光纖 預制 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)往石英基管內通入SiCl4和O2，加熱反應，并沉積得到SiO2外包層；
(2)外包層沉積好后，通入SiCl4、BBr3和O2，加熱進行反應，在外包層上沉積SiO2/B2O3應力區層；
(3)通入刻蝕氣體，以石英基管圓心為對稱點，刻蝕除去應力區層對稱兩邊的部分應力區，使得剩余部分的應力區層的對稱兩邊互不連接，并替換刻蝕除去的應力區，沉積與外包層組分相同的填充層；
(4)再次通入刻蝕氣體，刻蝕除去沉積在應力區層上的填充層；
(5)刻蝕完成后，通入SiCl4、SF6和O2，加熱反應，沉積得到內包層；
(6)內包層沉積完成后，通入SiCl4、GeCl4和O2，加熱進行反應，沉積得到棒芯層；
(7)沉積完成后，加熱石英基管對各層進行燒結，即收縮得到光纖預制棒。
2.根據權利要求1所述的一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的SiCl4和O2的通入量的摩爾比為(1～1.2):1，反應溫度為1850℃，沉積得到的外包層的厚度為0.8～2mm。
3.根據權利要求1所述的一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的SiCl4、BBr3和O2的通入量的摩爾比為(82～85)：(30～36)：150，其反應溫度為1650～1850℃，沉積得到的應力區層的厚度為4～6mm。
4.根據權利要求1所述的一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，步驟(3)和步驟(4)中所述的刻蝕氣體為SF6，刻蝕溫度為1450～1850℃；
步驟(3)中刻蝕除去的應力區占整個應力區層的體積百分比為30～40％。
5.根據權利要求1所述的一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，步驟(5)中所述的SiCl4、SF6和O2的通入量的摩爾比為(30～40)：1：(80～100)，其加熱反應溫度為1850～2050℃，沉積得到的內包層的厚度為2.1mm。
6.根據權利要求1所述的一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，步驟(6)中所述的SiCl4、GeCl4和O2的通入量的摩爾比為(2～3)：1：(10～20)，其加熱反應溫度為1850～2050℃，沉積得到的棒芯層的厚度為0.8～1.2mm。
7.根據權利要求1所述的一種光纖預制棒的制備方法，其特征在于，步驟(7)中所述的燒結溫度為2250～2450℃。
8.一種如權利要求1～7任一所述的制備方法制備得到的光纖預制棒，其特征在于，該光纖預制棒的棒芯為正圓形，棒芯與其余各沉積層之間的同心度差小于0.3mm。
9.一種如權利要求8所述的光纖預制棒的用于拉制圓保偏光纖或寬帶光纖波片。
10.根據權利要求9所述的光纖預制棒的應用，其特征在于，拉制得到圓保偏光纖的纖芯模場的圓度大于90％。
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