[發明專利]一種閃存控制芯片

有效

• 申請號: 201510718337.0
• 申請日: 2015-10-29
• 公開（公告）號: CN105280234B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 王玉明;李華偉
• 申請（專利權）人: 深圳芯邦科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

本發明公開了一種閃存控制芯片，包括輔助升壓電路模塊，輔助升壓電路模塊，用于根據閃存控制芯片的使用時長調整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標電壓值，并根據所述目標電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓，為閃存控制芯片增加了輔助升壓電路，防止閃存控制芯片內部的升壓電路失效導致閃存控制芯片失效，增加了閃存控制芯片的使用壽命。

技術領域

本發明涉及電子信息領域，特別是涉及一種閃存控制芯片。

背景技術

閃存(Flash Memory，簡稱flash)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，

隨著越來越多深亞微米工藝的新型號flash閃存的出現，flash內部的升壓電路成為了flash中越來越脆弱的部分，由于其出現問題導致的整片flash無法工作的情況的比例也越來越高，而且隨著flash使用時間的增加，增加升壓電路的輸出電壓對flash壽命的延長有非常直接的作用，但flash內部固定不變的輸出電壓會導致越來越多flash單元的壽命提前終結。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種閃存控制芯片，可以輔助閃存控制芯片實現升壓。

為實現上述目的，本發明提供了一種閃存控制芯片，包括：

輔助升壓電路模塊，用于根據閃存控制芯片的使用時長調整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標電壓值，并根據所述目標電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓。優選地，所述輔助升壓電路模塊包括：

初始輸出電壓值確定子模塊，用于確定需要為所述閃存控制芯片提供的初始輸出電壓值；

輸出電壓值調整子模塊，用于根據所述閃存控制芯片的使用時長調整所述初始輸出電壓，得到需要為所述閃存控制芯片提供的目標輸出電壓；

升壓子模塊，用于使用所述目標輸出電壓為所述閃存控制芯片升壓。

應用本發明提供的一種閃存控制芯片，包括輔助升壓電路模塊，輔助升壓電路模塊，用于根據閃存控制芯片的使用時長調整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標電壓值，并根據所述目標電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓，，為閃存控制芯片增加了輔助升壓電路，防止閃存控制芯片內部的升壓電路失效導致閃存控制芯片失效，增加了閃存控制芯片的使用壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明一種閃存控制芯片實施例的結構示意圖；

圖2為本發明一種閃存控制芯片實施例的詳細結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明提供了一種閃存控制芯片，圖1示出了本發明閃存控制芯片的結構示意圖，包括：

輔助升壓電路模塊101，輔助升壓電路模塊，用于根據閃存控制芯片的使用時長調整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標電壓值，并根據所述目標電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓。如圖2所示，具體地，所述輔助升壓電路模塊可包括：

初始輸出電壓值確定子模塊201，用于確定需要為所述閃存控制芯片提供的初始輸出電壓值；