[發(fā)明專利]影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510716297.6 | 申請日: | 2015-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN105226074A | 公開(公告)日: | 2016-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王之奇;謝國梁;金之雄;李俊杰 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 215021 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 傳感 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。
背景技術(shù)
目前,晶圓級封裝(WaferLevelPackaging)技術(shù)是對整片晶圓進(jìn)行測試封裝后再進(jìn)行切割,得到單個成品芯片的技術(shù),其逐漸取代引線鍵合封裝技術(shù),成為封裝的主流技術(shù)。
在影像傳感器的封裝中,也多采用晶圓級封裝技術(shù),如圖1所示,為現(xiàn)有傳統(tǒng)的影像傳感器封裝結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)包括影像傳感芯片10和蓋板20,影像傳感芯片的第一表面上設(shè)置有影像傳感區(qū)12和焊墊14,蓋板20設(shè)置在影像傳感區(qū)12上方,用于保護(hù)影像傳感區(qū),通常的,蓋板20由玻璃基板22和玻璃基板22上的支撐結(jié)構(gòu)24組成,支撐結(jié)構(gòu)24圍成空腔,在支撐結(jié)構(gòu)24鍵合到影像傳感區(qū)所在的第一表面后,將影像傳感區(qū)12罩在空腔中,起到保護(hù)影像傳感區(qū)的作用。在第二表面上設(shè)置有貫通至焊墊14的導(dǎo)孔以及與導(dǎo)孔電連接的焊接凸點22,從而,實現(xiàn)與外部的電連接,導(dǎo)孔包括通孔中及通孔側(cè)面的第二表面上的絕緣層16、電連線層18和阻焊層22,焊接凸點22形成在導(dǎo)孔側(cè)面的電連線層18上,從而實現(xiàn)外部與焊墊的電連接。
然而,在該結(jié)構(gòu)中,絕緣層16多采用有機(jī)材料形成,有機(jī)材料形成的絕緣層在通孔的邊角處較為薄弱,尤其是對于階梯形的通孔(圖未視出),容易在邊角處產(chǎn)生缺陷。此外,在后續(xù)形成電連線層時,需要通過鐳射進(jìn)行絕緣層的開口,開口后絕緣層和襯墊都被擊穿,這樣,如圖1所示,形成的電連線層18與襯墊14側(cè)壁形成電連接,這種連接的接觸面積較小,在晶片受力時,容易產(chǎn)生斷裂,甚至失效。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的第一方面提供了一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu),以降低影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu)的缺陷。
為解決上述問題,本發(fā)明實施例提供了一種影像傳感芯片封裝結(jié)構(gòu),包括:
影像傳感芯片,其具有相對的第一表面和第二表面,在第一表面上設(shè)置有影像傳感區(qū)以及位于影像傳感區(qū)周圍的焊墊;
從第二表面貫通至焊墊的通孔;
設(shè)置于通孔側(cè)壁以及第二表面上的鈍化層;
設(shè)置于通孔底面以及鈍化層上的電連線層;
電連接于電連線層的焊接凸點;
位于電連線層與鈍化層之間的緩沖層。
可選的,還包括:遮光層,位于第二表面上且覆蓋所述影像傳感區(qū)。
可選的,所述遮光層的材質(zhì)為金屬。
可選的,所述金屬為經(jīng)過表面黑化處理的Al。
可選的,所述緩沖層的材質(zhì)為感光膠。
可選的,還包括覆蓋電連線層并填充通孔的阻焊層。
可選的,還包括與所述影像傳感芯片對位壓合的保護(hù)蓋板。
可選的,所述保護(hù)蓋板為光學(xué)玻璃,光學(xué)玻璃的至少一個表面上設(shè)置有防反射層。
可選的,所述緩沖層的厚度范圍為5-25微米。
此外,本發(fā)明還提供了一種影像傳感芯片的封裝方法,包括:
提供晶圓,具有多顆陣列排布的影像傳感芯片,其具有相對的第一表面和第二表面,影像傳感芯片具有影像傳感區(qū)以及位于影像傳感區(qū)周圍的焊墊,所述影像傳感區(qū)以及焊墊位于第一表面;
提供保護(hù)蓋板,并將其與所述晶圓對位壓合;
從第二表面形成貫通至焊墊的通孔;
在通孔側(cè)壁以及通孔兩側(cè)的第二表面上形成鈍化層;
在第二表面上的鈍化層上形成緩沖層;
形成覆蓋通孔內(nèi)壁及緩沖層的電連線層;
在電連線層上形成與所述電連線層電連接的焊接凸點。
可選的,在形成通孔之前,還包括:在第二表面對應(yīng)影像傳感區(qū)的位置形成遮光層。
可選的,形成遮光層的步驟包括:
在第二表面上濺射金屬層,并進(jìn)行刻蝕,以在對應(yīng)影像傳感區(qū)的位置形成遮光層。
可選的,所述金屬層為Al,在濺射Al的金屬層之后,還進(jìn)行表面黑化處理,而后進(jìn)行刻蝕。
可選的,在覆蓋電連線層之后,形成焊接凸點之前,還包括:
形成阻焊層,并在第二表面上的阻焊層中形成開口;
在開口中形成焊接凸點。
可選的,所述保護(hù)蓋板為光學(xué)玻璃,光學(xué)玻璃的至少一個表面上設(shè)置有防反射層。
可選的,在通孔側(cè)壁以及通孔兩側(cè)的第二表面上形成鈍化層的步驟包括:
沉積鈍化層;
刻蝕去除通孔底部的鈍化層。
可選的,所述緩沖層的材質(zhì)為感光膠,在第二表面上的鈍化層上形成緩沖層的步驟包括:
在第二表面上旋涂感光膠;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





