[發明專利]發光二極管在審
| 申請號： | 201510714528.X | 申請日： | 2015-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN105206721A | 公開（公告）日： | 2015-12-30 |
| 發明（設計）人： | 蔡正文;蒙成;王晶;王篤祥;吳超瑜 | 申請（專利權）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 | ||
1.發光二極管，包括：n型限制層、p型限制層和夾在兩者之間的有源層，其特征在于：所述有源層含有量子阱結構和帶有摻雜的雙異質結構，其中所述雙異質結構鄰近所述n型限制層，所述量子阱結構近鄰p型限制層，減輕注入的電流密度大于等于3A/mm2時的載子溢流狀況。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述有源層的發光波長為560~660nm。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述有源層包含m個由壘層和阱層構成的雙異質結構，其中1≦m≦10。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述雙異質結構的壘層厚度為200~220埃，所述雙異質結構的阱層厚度為180~200埃。
5.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述雙異質結構之壘層為AlxGa1-xInP，阱層為AlyGa1-yInP，其中x的范圍為0.1~0.17，y的范圍為0.65~0.75。
6.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述雙異質結構的壘層具有p型摻雜，其摻雜濃度為1E17~2E17。
7.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于：所述雙異質結構的壘層具有n型摻雜，其摻雜濃度為1E17~2E17。
8.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述有源層具有多個雙異質結構，其中靠近所述n型限制層的部分壘層摻雜，其摻雜對數小于或等于所述雙異質結構總個數的1/3。
9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述雙異質結構具有多對壘層和阱層，所述至少部分壘層的中間區域具有摻雜，摻雜厚度介于該壘層厚度的1/2~1/3。
10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述量子阱結構的壘層厚度為50~70埃，所述量子阱結構的阱層厚度為40~60埃。
11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述量子阱結構的壘層為AlzGa1-zInP，阱層為GaInP，其中z的范圍為0.65~0.75。
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