[發(fā)明專利]一種用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510712254.0 | 申請日： | 2015-10-28 |
| 公開（公告）號： | CN105355783B | 公開（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 呂業(yè)剛;王苗;沈祥;王國祥;戴世勛 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜 單層 多層納米復(fù)合薄膜 制備 高密度相變存儲器 存儲器 靶材 濺射 多層復(fù)合薄膜 數(shù)據(jù)保持力 多級存儲 濺射靶材 交替濺射 交替周期 熱穩(wěn)定性 交替層 襯底 式中 清洗 存儲 | ||
1.一種用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料，其特征在于：所述的多層納米復(fù)合薄膜材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)式為[GaSb/Sb4Te]x，其中單層GaSb薄膜的厚度為4nm，單層Sb4Te薄膜的厚度為6nm；x表示單層GaSb和單層Sb4Te薄膜的交替周期數(shù)或者交替層數(shù)，取值為12。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料，其特征在于：所述的多層納米復(fù)合薄膜材料由GaSb合金靶和Sb4Te合金靶在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中通過雙靶交替濺射獲得，其單層GaSb和單層Sb4Te薄膜交替排列成多層膜結(jié)構(gòu)，x＝12。
3.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于具體步驟如下：
在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，采用清洗過的石英片或氧化硅片襯底，將GaSb合金靶材安裝在磁控射頻濺射靶中，將Sb4Te合金靶材安裝在直流濺射靶中，將磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的濺射腔室進(jìn)行抽真空直至室內(nèi)真空度達(dá)到2.0×10-4Pa，然后對GaSb合金靶和Sb4Te合金靶分別進(jìn)行10分鐘的預(yù)濺射，控制GaSb合金靶的濺射功率為20W，Sb4Te合金靶的濺射功率為15W，在室溫交替濺射GaSb薄膜和Sb4Te薄膜，直至濺射總厚度為120nm，即得到GaSb/Sb4Te多層納米復(fù)合薄膜材料，其化學(xué)結(jié)構(gòu)式為[GaSb/Sb4Te]x，其中單層GaSb薄膜的厚度為4nm，單層Sb4Te薄膜的厚度為6nm；x表示單層GaSb和單層Sb4Te薄膜的交替周期數(shù)或者交替層數(shù)，取值為12。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的襯底為SiO2/Si(100)基片，所述的濺射靶材為GaSb和Sb4Te，所述的濺射氣體為高純氬氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的GaSb和Sb4Te靶材的純度均在原子百分比99.999％以上，本底真空度不大于2×10-4Pa。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于高密度相變存儲器的多層納米復(fù)合薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述的GaSb合金靶的濺射速率為2.1nm/min，所述的Sb4Te合金靶的濺射速率為3.8nm/min。
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