[發明專利]基于IGBT的分步淀積半絕緣多晶硅方法及IGBT終端結構有效
| 申請號： | 201510711308.1 | 申請日： | 2015-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN105390396B | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 馬亮;周飛宇;肖海波;劉根 | 申請（專利權）人： | 株洲南車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/02;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人： | 張少輝;劉華聯 |
| 地址： | 412001 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半絕緣多晶硅 薄膜層 淀積 終端結構 晶粒 第一導電類型 可靠性增強 耐壓性能 電阻率 漏電流 襯底 | ||
1.一種基于IGBT的分步淀積半絕緣多晶硅方法，其特征在于，包括：
在第一導電類型襯底頂部淀積第一半絕緣多晶硅薄膜層，其中，所述襯底中在位于所述頂部的一端設置有與第一導電類型相反的第二導電類型本體，所述第一半絕緣多晶硅薄膜層在第一溫度下進行淀積；
在所述第一半絕緣多晶硅薄膜層上淀積第二半絕緣多晶硅薄膜層，所述第二半絕緣多晶硅薄膜層在第二溫度下進行淀積，其中，所述第一溫度大于所述第二溫度。
2.根據權利要求1所述的基于IGBT的分步淀積半絕緣多晶硅方法，其特征在于，所述第一溫度的范圍為630℃～650℃，所述第二溫度的范圍為600℃～630℃。
3.根據權利要求1所述的基于IGBT的分步淀積半絕緣多晶硅方法，其特征在于，在所述第一半絕緣多晶硅薄膜層上淀積第二半絕緣多晶硅薄膜層之后，還包括：
在所述第二半絕緣多晶硅薄膜層上淀積氮化硅薄膜層。
4.根據權利要求1-3任一所述的基于IGBT的分步淀積半絕緣多晶硅方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型本體為P型本體。
5.一種IGBT終端結構，其特征在于，包括：
設置在第一導電類型襯底一端且位于所述襯底中與所述第一導電類型相反的第二導電類型本體，在第一溫度下淀積在所述第二導電類型本體的上部的第一半絕緣多晶硅薄膜層，在第二溫度下淀積在所述第一半絕緣多晶硅薄膜層上的第二半絕緣多晶硅薄膜層，其中，所述第一溫度大于所述第二溫度。
6.根據權利要求5所述的IGBT終端結構，其特征在于，所述第一溫度的范圍為630℃～650℃，所述第二溫度的范圍為600℃～630℃。
7.根據權利要求5所述的IGBT終端結構，其特征在于，還包括覆蓋在所述第二半絕緣多晶硅薄膜層上的氮化硅薄膜層。
8.根據權利要求5所述的IGBT終端結構，其特征在于，所述第二導電類型本體有多個，相鄰兩個所述第二導電類型本體之間有間隙，所述襯底的外表面還包括在對應所述間隙處設置的氧化層，所述氧化層的寬度大于所述間隙的寬度。
9.根據權利要求5-8任一所述的IGBT終端結構，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型本體為P型本體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
