[發明專利]一種利用光刻膠以及低溫等離子刻蝕制備黑硅的方法有效
| 申請號： | 201510708520.2 | 申請日： | 2015-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN105399045B | 公開（公告）日： | 2018-08-07 |
| 發明（設計）人： | 徐麗華;閆蘭琴;褚衛國 | 申請（專利權）人： | 國家納米科學中心 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B1/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100080 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 光刻 以及 低溫 等離子 刻蝕 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用光刻膠以及低溫等離子體刻蝕制備黑硅的方法，其特征在于，包括以下步驟：在硅片表面涂覆厚度為1～6μm的紫外光刻膠，進行紫外曝光，曝光劑量為40～170mj/cm2，顯影時間為30s～1min；在110～130℃烘烤固化5～10min，進行低溫等離子體刻蝕，即得；
在低溫等離子體刻蝕過程中，下電極采用占空比為10～50％的200～500Hz脈沖電源。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低溫等離子體刻蝕的溫度為-120～-100℃。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述低溫等離子體刻蝕的刻蝕氣體為SF6和O2。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述低溫等離子體刻蝕在電感耦合等離子體刻蝕機中進行；所述硅片置于載片上，再共同置于電感耦合等離子體刻蝕機的下電極載片臺上；
所述下電極載片臺的溫度為-120～-100℃。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在低溫等離子體刻蝕過程中，硅片與載片之間涂有導熱油或真空硅脂。
6.根據權利要求4或5所述的方法，其特征在于，在低溫等離子體刻蝕過程中，真空度為5～10mTorr，刻蝕氣體為流量30～35sccm的SF6和流量10～15sccm的O2，上電極功率為340～360W，下電極功率為3～10W。
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