[發明專利]一種金屬-石墨烯復合多孔電極材料的制備方法

有效

• 申請號: 201510706762.8
• 申請日: 2015-10-27
• 公開（公告）號: CN105448528B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 穆俊江;韋雁途;吳天和
• 申請（專利權）人: 梧州三和新材料科技有限公司
• 主分類號: H01G11/26
• 分類號: H01G11/26;H01G11/30;H01G11/36;B82Y30/00;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M6/14;H01M10/052
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1.一種金屬-石墨烯復合多孔電極材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)以多孔金屬為基體，多孔金屬具有開孔的三維立體結構、平均孔直徑為100μm～3000μm、厚度為0.3mm～70mm；

(2)在(1)所述基體上用真空鍍工藝沉積過渡金屬層，其中真空鍍工藝是指真空磁控濺射技術，其工作參數為：真空腔本底真空≤5×10^-2Pa，濺射鍍膜時真空腔室內壓力≤1Pa，每分米靶寬幅施加的靶功率密度為0.1千瓦～1千瓦，過渡金屬層的平均厚度為5nm～2000nm；

(3)在(2)所述的過渡金屬層上用化學氣相沉積法制備石墨烯層：把經過步驟(2)處理的多孔金屬置于真空爐腔內，抽真空至爐腔內部本底真空≤2Pa，再升溫至650℃～1000℃，同時通入氫氣和氬氣的混合氣體，保溫10分鐘～45分鐘，繼續升溫至800℃～1100℃，然后通入碳源氣體進行反應，反應時間0.5分鐘～30分鐘，反應結束后停止通入碳源氣體，在氬氣或者氫氣、氬氣兩者的混合氣體中冷卻至室溫，制備得到的石墨烯層的厚度為0.34nm～100nm；

(4)所述基體上至少有兩層過渡金屬層和兩層石墨烯層，并且過渡金屬層與石墨烯層互相疊加。