[發明專利]膜形成裝置

有效

• 申請號: 201510702965.X
• 申請日: 2015-10-26
• 公開（公告）號: CN105648421B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 辻直人;佐藤和男;山岸孝幸
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 翟國明

1.一種膜形成裝置， 包括：

基座；以及

蓮蓬式噴頭，其設置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和獨立于所述第一通道的第二通道，

其中所述第一通道通過設置有被第一上壁和第一下壁包圍并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一細孔以及形成在所述第一下壁中的多個第二細孔而形成為貫穿所述蓮蓬式噴頭；

所述第一上壁的在豎直方向上的高度隨著與所述第一細孔的距離的增加而減小；

所述第一下壁的在豎直方向上的高度是恒定的；

所述第二通道通過設置有被第二上壁和第二下壁包圍并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三細孔以及形成在所述第二下壁中的多個第四細孔而形成為貫穿所述蓮蓬式噴頭；

所述第二上壁的在豎直方向上的高度隨著與所述第三細孔和所述第二空腔之間的連接點的距離的增加而減小；

所述第二下壁的在豎直方向上的高度是恒定的，

其中從所述蓮蓬式噴頭的上表面的中心至所述第一空腔的流道被設置為所述第一細孔，所述第一細孔形成在所述第一上壁的位于所述基座的中心的正上方處，且

其中從所述蓮蓬式噴頭的上表面的邊緣位置至所述第二空腔的流道被設置為所述第三細孔，所述第三細孔和所述第二空腔之間的所述連接點形成在所述第二上壁的位于所述基座的中心的正上方處。

2.一種膜形成裝置， 包括：

基座；以及

蓮蓬式噴頭，其設置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和獨立于所述第一通道的第二通道，

其中所述第一通道通過設置有被第一上壁和第一下壁包圍并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一細孔以及形成在所述第一下壁中的多個第二細孔而形成為貫穿所述蓮蓬式噴頭；

所述第一上壁的在豎直方向上的高度隨著與所述第一細孔的距離的增加而減小；

所述第一下壁的在豎直方向上的高度是恒定的；

所述第二通道通過設置有被第二上壁和第二下壁包圍并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三細孔以及形成在所述第二下壁中的多個第四細孔而形成為貫穿所述蓮蓬式噴頭；

所述第二上壁的在豎直方向上的高度隨著與所述第三細孔的距離的增加而減小；

所述第二下壁的在豎直方向上的高度是恒定的，且

多個所述第三細孔形成在形成有所述第四細孔的區域的中心正上方的位置與形成有所述第四細孔的區域的外邊緣正上方的位置之間。

3.根據權利要求2所述的膜形成裝置，其中所述第三細孔在豎直方向上延伸。

4.一種膜形成裝置， 包括：

基座；以及

蓮蓬式噴頭，其設置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和獨立于所述第一通道的第二通道，

其中所述第一通道通過設置有被第一上壁和第一下壁包圍并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一細孔以及形成在所述第一下壁中的多個第二細孔而形成為貫穿所述蓮蓬式噴頭；

所述第一上壁的在豎直方向上的高度隨著與所述第一細孔的距離的增加而減小；

所述第一下壁的在豎直方向上的高度是恒定的；

所述第二通道通過設置有被第二上壁和第二下壁包圍并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三細孔以及形成在所述第二下壁中的多個第四細孔而形成為貫穿所述蓮蓬式噴頭；

所述第二上壁的在豎直方向上的高度隨著與所述第三細孔的距離的增加而減小；

所述第二下壁的在豎直方向上的高度是恒定的，

所述第三細孔形成在所述第二上壁的邊緣部，并且

從所述蓮蓬式噴頭的上表面的邊緣位置至所述第二空腔的流道被設置為所述第三細孔。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的膜形成裝置，還包括排放管道，通過所述排放管道，經由所述第一細孔、所述第一空腔以及所述多個第二細孔或者經由所述第三細孔、所述第二空腔以及所述多個第四細孔供給到所述基座上并且向外擴散至所述基座的外邊緣以外的氣體被排放，并且所述排放管道具有包圍所述蓮蓬式噴頭和所述基座的形狀。