[發明專利]一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法

在審

• 申請號: 201510701368.5
• 申請日: 2015-10-26
• 公開（公告）號: CN105256286A
• 公開（公告）日: 2016-01-20
• 發明（設計）人: 李新坤;王巍;劉院省;王學鋒;邢朝洋;劉福民;石猛;鄧意成;王妍;周維洋
• 申請（專利權）人: 北京航天控制儀器研究所
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 范曉毅

1.一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：具體包括如下步驟：

(1)、將N個原子氣室(3)通過第一管路(5)連接在主管(1)上，并通過主管(1)相互連通，其中N為正整數；

(2)、將盛放銣源的第一容器(2)通過第二管路(6)連接在主管(1)上，并與主管(1)連通；

(3)、將盛放氫化物固態釋氣劑的第二容器(4)通過第三管路(7)連接在主管(1)上，并與主管(1)連通；

(4)、將主管(1)連接到真空系統上，利用真空泵對整個管路抽真空，至壓強小于5×10^-4Pa；

(5)、加熱盛放銣源的第一容器(2)，使銣源以蒸汽的形式擴散到各個原子氣室(3)內；

(6)、對盛放氫化物固態釋氣劑的第二容器(4)進行加熱，所述加熱溫度為650℃～720℃，使所述氫化物緩慢分解，產生的氫氣通過主管(1)充入各個原子氣室(3)內，當氣室內氫氣壓力達到氣壓P時，封閉第三管路(7)，使氫氣不再進入主管(1)，所述氣壓P為10Torr～100Torr；

(7)、將原子氣室(3)在溫度T下保持時間t；所述溫度T為50℃～150℃，時間t為60h～300h；

(8)、利用真空泵將原子氣室(3)內殘余的氫氣抽空，完成原子氣室(3)內壁鍍膜。

2.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(6)中原子氣室(3)內氫氣氣壓P為40Torr～80Torr。

3.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(6)中氫化物由緩慢分解至分解停滯的時間為5min～10min。

4.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(7)中溫度T為80℃～100℃，時間t為120h～180h。

5.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述第一管路(5)的管徑為2mm～4mm；第二管路(6)的管徑為6mm～10mm；第三管路(7)的管徑為6mm～10mm。

6.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述主管(1)、第一管路(5)、第二管路(6)、第三管路(7)、第一容器(2)和第二容器(4)均為玻璃材質，優選采用同一類型的玻璃材質。

7.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(5)中的加熱溫度為200℃～220℃。

8.根據權利要求1所述的一種減緩原子自旋弛豫的原子氣室內壁鍍膜方法，其特征在于：所述步驟(8)中原子氣室(3)內壁鍍膜的厚度為100nm～300nm。