[發明專利]一種Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201510701234.3
• 申請日: 2015-10-26
• 公開（公告）號: CN105200295A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 喻吉良;張如;鄭欣;李來平;夏明星;王峰;裴雅
• 申請（專利權）人: 西北有色金屬研究院
• 主分類號: C22C27/02
• 分類號: C22C27/02;C22C30/00;C22C1/02
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si6％～20％，Ti16％～30％，Ta5％～15％，B2％～8％，余量為Nb和不可避免的雜質。

2.按照權利要求1所述的一種Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si8％～13％，Ti18％～22％，Ta8％～12％，B3％～7％，余量為Nb和不可避免的雜質。

3.按照權利要求2所述的一種Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si10％，Ti20％，Ta10％，B5％，余量為Nb和不可避免的雜質。

4.一種制備如權利要求1～3中任一權利要求所述Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

步驟一、將硅粉、鈦粉、鉭粉、硼粉和鈮粉混合均勻后壓制成電極，然后將所述電極置于真空自耗電弧熔煉爐中，在真空度小于1×10^-4Pa的條件下電弧熔煉3～6次，得到Nb-Si-Ti-Ta-B合金鑄錠；所述電弧熔煉的熔煉電流為5kA～7kA，熔煉電壓為20V～40V；

步驟二、將步驟一中所述Nb-Si-Ti-Ta-B合金鑄錠在擠壓溫度為1200℃～1600℃，擠壓比為6～12的條件下進行擠壓，得到Nb-Si-Ti-Ta-B合金材料。

5.按照權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟一中所述硅粉的質量純度不小于99.99％，所述鈦粉的質量純度不小于99.99％，所述鉭粉的質量純度不小于99.9％，所述硼粉的質量純度不小于99.9％，所述鈮粉的質量純度不小于99.99％。

6.按照權利要求4所述的方法，其特征在于，步驟二中所述擠壓溫度為1300℃～1500℃，擠壓比為7～11。

7.按照權利要求6所述的方法，其特征在于，所述擠壓溫度為1400℃，擠壓比為9。