[發(fā)明專利]一種與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510697842.1 | 申請(qǐng)日： | 2015-10-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105158305A | 公開（公告）日： | 2015-12-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 左青云;康曉旭;李銘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01N27/22 | 分類號(hào)： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cmos 工藝 兼容 濕度 傳感器 制造 方法 | ||
1.一種與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，包括：
步驟S01：提供一已完成CMOS器件制備的襯底，在所述襯底上形成下電極；
步驟S02：在下電極上形成第一介質(zhì)層，并在第一介質(zhì)層中形成一犧牲層；
步驟S03：在犧牲層上形成上電極；
步驟S04：去除犧牲層，形成開口空腔；
步驟S05：沿空腔向上，形成填充于上、下電極之間的濕敏材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，步驟S02中，先在第一介質(zhì)層中形成一溝槽，然后，向溝槽中填充犧牲層材料并圖形化，形成犧牲層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，形成溝槽時(shí)，露出下電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，形成溝槽時(shí)，在溝槽底部與下電極之間保留200-2000埃的第一介質(zhì)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，所述犧牲層材料為二氧化硅、SiN或非晶硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為500nm-5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，步驟S03中，在上電極外周表面包覆一層隔離層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，在上電極外周表面包覆一層隔離層包括：先在犧牲層上淀積第二介質(zhì)層并圖形化，形成上電極底部的隔離介質(zhì)，然后形成上電極,接著，繼續(xù)淀積第二介質(zhì)層并圖形化，形成上電極的側(cè)墻和其頂部的隔離介質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，步驟S05中，采用CVD或者旋涂工藝，沿空腔向上形成濕敏材料層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或9所述的與CMOS工藝兼容的濕度傳感器制造方法，其特征在于，所述濕敏材料為有機(jī)聚合物或者多孔介質(zhì)材料。
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