[發明專利]圖形化襯底、制備方法及發光二極管

在審

• 申請號: 201510691884.4
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN105355739A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 徐志波;李政鴻;謝翔麟;王肖
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.圖形化襯底，具有相對的第一表面和第二表面，其中第一表面均勻分布有復數個凸起，所述各個凸起之間具有間隙，其特征在于：所述凸起表面沉積有介質層，所述凸起間隙的表面無所述介質層；所述介質層的表面及所述凸起間隙的表面沉積有氮化鋁層，所述介質層表面的氮化鋁層抑制圖形化襯底表面的側向外延生長。

2.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于：所述凸起間隙表面的氮化鋁層比所述介質層表面的氮化鋁層更易于生長氮化鎵基材料。

3.根據權利要求2所述的圖形化襯底，其特征在于：所述凸起表面上的氮化鋁層為非晶態層，所述凸起間隙表面上的氮化鋁層為由微小晶粒組成的多晶態層。

4.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于：所述相鄰凸起間距為50nm~5000nm。

5.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于：所述介質層厚度為1nm~200nm。

6.根據權利要求1所述的圖形化襯底，其特征在于：所述氮化鋁層厚度為1nm~200nm。

7.一種圖形化襯底的制備方法，包括如下步驟：

S1、提供一具有平坦表面的襯底，于所述平坦表面制備復數個均勻分布的凸起，各個凸起之間具有間隙；

S2、在經過上述處理的襯底表面上形成介質層，其僅覆蓋在所述凸起的表面上，未覆蓋所述凸起間隙的表面；

S3、于所述介質層的表面上和所述凸起間隙的表面上沉積氮化鋁層，構成圖形化襯底，所述介質層表面的氮化鋁層抑制圖形化襯底表面的側向外延生長，降低外延層正向生長合并時的晶體缺陷。

8.根據權利要求7所述的圖形化襯底的制備方法，其特征在于：所述步驟S2通過下面方法形成：

在經過步驟S1處理的襯底表面上形成介質層，其覆蓋所述凸起的表面及所述凸起間隙的表面；

在所述介質層表面涂布光阻，利用刻蝕技術去除所述凸起間隙表面的光阻和介質層，保留所述凸起表面的光阻和介質層；

去除所述凸起表面的光阻，形成凸起表面具有介質層、而凸起間隙表面無介質層的襯底。

9.根據權利要求7所述的一種降低晶體缺陷的圖形化襯底的制備方法，其特征在于：所述介質層厚度為1nm~200nm。

10.根據權利要求7所述的一種降低晶體缺陷的圖形化襯底，其特征在于：所述氮化鋁層厚度為1nm~200nm。

11.發光二極管，包括圖形化襯底和形成于所述圖形化襯底上的發光外延疊層，所述圖形化襯底具有相對的第一表面和第二表面，其中第一表面均勻分布有復數個凸起，所述各個凸起之間具有間隙，所述凸起表面沉積有介質層，所述凸起間隙的表面無所述介質層；所述介質層的表面及所述凸起間隙表面沉積有氮化鋁層，所述介質層表面的氮化鋁層抑制圖形化襯底表面的側向外延生長。

12.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：所述凸起表面上的氮化鋁層為非晶態層，所述凸起間隙表面上的氮化鋁層為由微小晶粒組成的多晶態層。

13.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：所述發光外延疊層選擇性生長于所述凸起間隙表面上的氮化鋁層。