[發(fā)明專利]一種碳化硅表面低界面態(tài)氧化層的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510685998.8
• 申請日: 2015-10-21
• 公開（公告）號: CN106611705B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王方方;鄭柳;楊霏;李玲;李永平;劉瑞;田亮;夏經(jīng)華;王嘉銘
• 申請（專利權(quán)）人: 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)安徽省電力公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/314;H01L21/324
• 代理公司: 北京安博達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種碳化硅表面低界面態(tài)氧化層的制備方法，所述方法包括：

1)清洗碳化硅外延襯底；

2)氧化步驟1)所述襯底；

3)于無氧的含磷環(huán)境中，退火處理步驟2)所述氧化的碳化硅樣品；

所述含磷環(huán)境為載氣攜帶含磷化合物；

所述載氣為惰性氣體N2或Ar；

所述載氣流量為100～5000sccm；

所述載氣的駐留時間為10s～20min；

所述退火處理的壓強(qiáng)小于1atm；

所述退火處理的溫度為800℃～2500℃；

所述退火處理為單階梯或多階梯升溫，所述升溫速率為0.1℃/min～2000℃/min，所述升溫梯度為30℃～2500℃，所述梯度上的維持時間為0.1min～100000min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅表面低界面態(tài)氧化層的制備方法，其特征在于，所述外延襯底材料為n型或p型的4H-SiC或6H-SiC，其摻雜濃度為1×10¹³～10²¹cm^-3，所述外延的厚度為0.1～500μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅表面低界面態(tài)氧化層的制備方法，其特征在于，所述清洗的方法為RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅表面低界面態(tài)氧化層的制備方法，其特征在于，所述氧化的方法為干氧、濕氧或N₂O中高溫氧化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅表面低界面態(tài)氧化層的制備方法，其特征在于，所述含磷化合物為POCl₃。