[發(fā)明專利]一種獲得X射線點(diǎn)光源的設(shè)備及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510675987.1
• 申請(qǐng)日: 2015-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105321786A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-02-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄒儉;王川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)原子能科學(xué)研究院
• 主分類號(hào): H01J35/14
• 分類號(hào): H01J35/14;H01J35/08
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種獲得X射線點(diǎn)光源的設(shè)備，包括連接在一起的脈沖功率裝置(1)和真空腔體(5)，設(shè)置在所述真空腔體(5)內(nèi)的陰極(2)、陽(yáng)極(4)、靶片(6)，所述陰極(2)連接所述脈沖功率裝置(1)，所述真空腔體(5)上設(shè)置有抽真空接口(8)和能夠通過(guò)從所述靶片(6)發(fā)射的X射線的出射口(7)，與所述抽真空接口(8)連接的抽真空裝置，其特征是：所述陽(yáng)極(4)為中空結(jié)構(gòu)，一根傳輸桿(3)穿過(guò)所述陽(yáng)極(4)的中空部位，所述傳輸桿(3)一端連接所述陰極(2)，另一端靠近所述靶片(6)，以保證所述傳輸桿(3)傳輸?shù)碾娮幽軌蜣Z擊所述靶片(6)。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征是：所述傳輸桿(3)采用高鉛玻璃材料，所述傳輸桿(3)靠近所述靶片(6)的一端為尖錐形。

3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征是：所述傳輸桿(3)尖錐一端與所述靶片(6)中心之間的距離能夠調(diào)整。

4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征是：所述距離為10-20mm。

5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征是：所述傳輸桿(3)是能夠更換的不同直徑的傳輸桿。

6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征是：所述靶片(6)與所述傳輸桿(3)的軸向呈45°角設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征是：所述脈沖功率裝置(1)和真空腔體(5)能夠連接和分離。

8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征是：所述靶片(6)為鉬片，所述抽真空裝置為分子泵和機(jī)械泵。

9.一種采用權(quán)利要求1所述設(shè)備的獲得X射線點(diǎn)光源的方法，包括如下步驟：

(S1)調(diào)整所述傳輸桿與所述靶片之間的距離；

(S2)啟動(dòng)抽真空裝置對(duì)所述真空腔體進(jìn)行抽真空操作；

(S3)啟動(dòng)所述脈沖功率裝置，在所述陰極和陽(yáng)極之間產(chǎn)生高電位差，引起陰極表面產(chǎn)生場(chǎng)致等離子體發(fā)射，從陰極發(fā)射電子并形成電子束；

(S4)陰極發(fā)射出的電子打在所述傳輸桿上，吸引電子束在傳輸桿表面出現(xiàn)過(guò)剩電子荷，引起電子束微聚；

(S5)微聚后的電子束依靠慣性，沿所述傳輸桿向傳輸桿的靠近靶片一端運(yùn)行并轟擊所述靶片，靶片受轟擊處產(chǎn)生X射線并通過(guò)真空腔體上的出射口射出。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征是：所述脈沖功率裝置(1)和真空腔體(5)能夠連接和分離，所述傳輸桿(3)是能夠更換的不同直徑的傳輸桿；在步驟(S1)中還包括分離所述脈沖功率裝置和真空腔體,將所述傳輸桿連接在所述陰極上；在步驟(S2)中還包括連接所述離脈沖功率裝置和真空腔體。