[發明專利]一種太陽能硅片線痕檢測裝置在審
| 申請號: | 201510669663.7 | 申請日: | 2015-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN105355578A | 公開(公告)日: | 2016-02-24 |
| 發明(設計)人: | 尹昊;郭立;樊坤 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周長清;戴玲 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 硅片 檢測 裝置 | ||
1.一種太陽能硅片線痕檢測裝置,包括硅片傳送帶(6)、固定支架(5)以及安裝在固定支架(5)上的激光器組件(3)和相機組件,所述激光器組件(3)和相機組件位于硅片傳送帶(6)上方且分設于硅片傳送帶(6)的兩側,其特征在于,所述激光器組件(3)包括激光發生器(8)和特殊透鏡組(10),所述激光發生器(8)用于向所述硅片(7)發射激光,所述特殊透鏡組(10)用于將激光發生器(8)發射的激光分成三束激光,所述三束激光在所述硅片(7)上形成三條不同角度的水平線激光(12),所述水平線激光(12)與所述硅片(7)上的線痕(13)的方向垂直;所述相機組件包括CCD相機(1)和聚光透鏡(2),所述CCD相機(1)用于接收激光發生器(8)發射的激光在硅片(7)上反射后形成的反射光,所述聚光透鏡(2)用于將硅片(7)表面反射過來的反射光聚集在CCD相機(1)的視場內,每束激光的入射角和反射角為銳角。
2.根據權利要求1所述的太陽能硅片線痕檢測裝置,其特征在于:所述激光器組件(3)還包括準直鏡(9),所述準直鏡(9)設于激光發生器(8)和特殊透鏡組(10)之間。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能硅片線痕檢測裝置,其特征在于:所述激光器組件(3)和相機組件分別設置為兩組,一組激光器組件(3)和相機組件位于硅片傳送帶(6)上方,另一組激光器組件(3)和相機組件位于硅片傳送帶(6)下方。
4.根據權利要求1或2所述的太陽能硅片線痕檢測裝置,其特征在于:所述硅片傳送帶(6)下方設有用于控制CCD相機(1)啟動拍攝的拍照觸發傳感器(11)。
5.根據權利要求1或2所述的太陽能硅片線痕檢測裝置,其特征在于:所述激光器組件(3)和相機組件通過安裝架(4)可調節的安裝在固定支架(5)上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





