[發(fā)明專利]高頻DC-DC變換器及其諧振驅(qū)動電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510666721.0 | 申請日: | 2015-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN105207491A | 公開(公告)日: | 2015-12-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金科;王晶晶 | 申請(專利權(quán))人: | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號: | H02M3/338 | 分類號: | H02M3/338 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 熊玉瑋 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高頻 dc 變換器 及其 諧振 驅(qū)動 電路 | ||
1.高頻DC-DC變換器,包括:依次連接的逆變模塊、阻抗匹配模塊、整流模塊,其特征在于,
逆變模塊包括:第一諧振電感和第一諧振電容、在兩倍開關(guān)頻率處諧振的第二諧振電感和第二諧振電容、第一MOS管,第一諧振電感一端接直流電壓源正極,第一諧振電感另一端與第二諧振電感一端、第一MOS管源極相連接,第二諧振電感另一端接第二諧振電容一極,第二諧振電容另一極、第一MOS管漏極與直流電壓源負(fù)極連接后接地,第一諧振電容并聯(lián)在第一MOS管的源極和漏極之間,第一諧振電感和第一諧振電容參與諧振;
阻抗匹配模塊包括:第三諧振電感和第三諧振電容,第三諧振電感一端接第一MOS管源極,第三諧振電感另一端接第三諧振電容一極,所述第三諧振電感和第三諧振電容的等效阻抗為感性;
整流模塊包括:第四諧振電感、第四諧振電容、輸出電容、第二MOS管,第四諧振電容一極、第四諧振電感一端、第三諧振電容另一極均與第二MOS管源極相連接,第四諧振電感另一端接輸出電容一極,第二MOS管漏極、第四諧振電容另一極、輸出電容另一極均接地,第四諧振電感和第四諧振電容參與諧振。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻DC-DC變換器,其特征在于,第一諧振電感的電感值LF、第二諧振電感的電感值L2F、第二諧振電容的電容值C2F滿足以下表達(dá)式:
其中,CF為第一諧振電容的電容值,CF≥Cds1,Cds1為第一MOS管寄生電容的電容值,fs為開關(guān)頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻DC-DC變換器,其特征在于,調(diào)整第一諧振電感的電感值以及第一諧振電容的電容值,以使第一MOS管漏極與源極之間等效電阻在開關(guān)頻率fs處的相角裕度在30°以上且第一MOS管漏極與源極之間等效電阻滿足:Zds(fs)>Zds(3fs)>>Zds(2fs)的約束,Zds(fs)、Zds(2fs)、Zds(3fs)分別為第一MOS管漏極與源極之間等效阻抗在開關(guān)頻率處、兩倍開關(guān)頻率處、三倍開關(guān)頻率處的取值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京航空航天大學(xué),未經(jīng)南京航空航天大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510666721.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的;由機(jī)電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





