[發(fā)明專利]一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510664795.0
• 申請日: 2015-10-15
• 公開（公告）號: CN106601862A
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾清華;張杰;宋廣華
• 申請（專利權(quán)）人: 鈞石(中國)能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法，其特征在于：所述方法包括步驟：

用強(qiáng)堿溶液對硅片表面進(jìn)行去損傷層處理；

用氨水、雙氧水混合溶液對硅片進(jìn)行清洗；

用KOH或NaOH溶液與制絨添加劑混合液進(jìn)行制絨,所述制絨在超聲波振蕩頻率為40-100kHz，超聲功率控制在50-500W的狀態(tài)下進(jìn)行；

將制絨后的硅片用鹽酸、雙氧水混合溶液清洗；

用氫氟酸溶液對制絨處理完的硅片進(jìn)行脫水處理，然后慢提拉出片；

烘干硅片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法，其特征在于：所述KOH或NaOH溶液與制絨添加劑混合液中，KOH或NaOH溶液濃度為1-5％，制絨添加劑濃度為0.2-0.5％，制絨時間為5-15min，制絨溫度為80-85℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法，其特征在于：所述去損傷層處理所用的強(qiáng)堿溶液為濃度10％-30％的KOH或NaOH溶液，時間為1-5min，溫度為75-85℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法，其特征在于：所述對硅片進(jìn)行清洗所用的氨水、雙氧水混合溶液中，氨水：雙氧水：水混合溶液比例為1:1:10～1:1:5，時間為3-10min，溫度為65-75℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法，其特征在于：所述將制絨后的硅片用鹽酸、雙氧水混合溶液清洗， 鹽酸：雙氧水：水混合溶液比例為1:1:10～1:1:5，時間為3-10min，溫度為65-75。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種降低單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池片反射率的制絨方法，其特征在于：所述用氫氟酸溶液對制絨處理完的硅片進(jìn)行脫水處理中的氫氟酸的質(zhì)量百分比為1％-6％，時間為3-10min，之后用純水清洗后慢提拉出片。