[發(fā)明專利]顯示器及其制造方法、制造裝置、顯示方法、可穿戴設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510657900.8 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105226078B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王志東;于靜;龍躍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 鞠永善 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示器 及其 制造 方法 裝置 顯示 穿戴 設(shè)備 | ||
1.一種顯示器,其特征在于,所述顯示器包括:
第一襯底基板;
所述第一襯底基板上形成有低溫多晶硅LTPS背板,所述LTPS背板形成有開(kāi)關(guān)控制電路;
形成有所述LTPS背板的第一襯底基板的非顯示區(qū)域形成有微機(jī)電系統(tǒng)MEMS微鏡陣列,所述MEMS微鏡陣列包括第一下電極、第二下電極、位于所述第一下電極和所述第二下電極之間的支撐柱,以及位于所述支撐柱上的上電極;
所述開(kāi)關(guān)控制電路用于:在所述顯示器需要進(jìn)行圖像顯示時(shí),對(duì)所述上電極和所述第一下電極施加第一異性電壓,同時(shí)通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路禁止對(duì)所述上電極和所述第二下電極施加電壓,使所述上電極旋轉(zhuǎn)至能夠反射所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光的位置;或者,通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路對(duì)所述上電極和所述第一下電極施加所述第一異性電壓,同時(shí)通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路對(duì)所述上電極和所述第二下電極施加第一同性電壓,使所述上電極旋轉(zhuǎn)至能夠反射所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光的位置;
形成有所述MEMS微鏡陣列的第一襯底基板的顯示區(qū)域形成有所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述顯示器還包括:
形成有所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的第一襯底基板上形成有第二襯底基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器,其特征在于,
所述支撐柱由多晶硅,二氧化硅或鋁制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器,其特征在于,
所述發(fā)光結(jié)構(gòu)為電致發(fā)光結(jié)構(gòu)。
5.一種顯示器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
在第一襯底基板上形成低溫多晶硅LTPS背板,所述LTPS背板形成有開(kāi)關(guān)控制電路;
在形成有所述LTPS背板的第一襯底基板的非顯示區(qū)域形成微機(jī)電系統(tǒng)MEMS微鏡陣列,所述MEMS微鏡陣列包括第一下電極、第二下電極、位于所述第一下電極和所述第二下電極之間的支撐柱,以及位于所述支撐柱上的上電極;所述開(kāi)關(guān)控制電路用于:在所述顯示器需要進(jìn)行圖像顯示時(shí),對(duì)所述上電極和所述第一下電極施加第一異性電壓,同時(shí)通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路禁止對(duì)所述上電極和所述第二下電極施加電壓,使所述上電極旋轉(zhuǎn)至能夠反射所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光的位置;或者,通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路對(duì)所述上電極和所述第一下電極施加所述第一異性電壓,同時(shí)通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路對(duì)所述上電極和所述第二下電極施加第一同性電壓,使所述上電極旋轉(zhuǎn)至能夠反射所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光的位置;
在形成有所述MEMS微鏡陣列的第一襯底基板的顯示區(qū)域形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。
6.一種顯示器的制造裝置,其特征在于,所述制造裝置包括:
背板形成單元,用于在第一襯底基板上形成低溫多晶硅LTPS背板,所述LTPS背板形成有開(kāi)關(guān)控制電路;
微鏡陣列形成單元,用于在形成有所述LTPS背板的第一襯底基板的非顯示區(qū)域形成微機(jī)電系統(tǒng)MEMS微鏡陣列,所述MEMS微鏡陣列用于反射顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光,所述開(kāi)關(guān)控制電路用于控制所述MEMS微鏡陣列的開(kāi)啟和關(guān)閉;
發(fā)光結(jié)構(gòu)形成單元,用于在形成有所述MEMS微鏡陣列的第一襯底基板的顯示區(qū)域形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。
7.一種顯示器的顯示方法,其特征在于,所述顯示器為權(quán)利要求1至4任一所述的顯示器,所述顯示器包括形成有低溫多晶硅LTPS背板的第一襯底基板的非顯示區(qū)域形成有微機(jī)電系統(tǒng)MEMS微鏡陣列,形成有所述MEMS微鏡陣列的第一襯底基板的顯示區(qū)域形成有發(fā)光結(jié)構(gòu),所述LTPS背板形成有開(kāi)關(guān)控制電路,所述MEMS微鏡陣列包括第一下電極、第二下電極、支撐柱和上電極,所述顯示方法包括:
在需要進(jìn)行圖像顯示時(shí),通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路控制所述上電極、所述第一下電極和所述第二下電極的電壓,使所述上電極旋轉(zhuǎn)至能夠反射所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光的位置;
在不需要進(jìn)行圖像顯示時(shí),通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路控制所述上電極、所述第一下電極和所述第二下電極的電壓,使所述上電極旋轉(zhuǎn)至無(wú)法反射所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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