[發明專利]一種用于芯片級封裝的密閉結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201510650216.7
• 申請日: 2015-10-09
• 公開（公告）號: CN105347290A
• 公開（公告）日: 2016-02-24
• 發明（設計）人: 祝明國;胡念楚;賈斌
• 申請（專利權）人: 銳迪科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C3/00
• 代理公司: 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514
• 代理人: 殷曉雪

1.一種用于芯片級封裝的密閉結構，其特征是，將基底芯片單元倒裝在封裝基板上，并在基底芯片單元與封裝基板之間采用粘合劑進行環形密封以形成密閉結構；封裝基板切割后得到基板封裝單元，所述密閉結構由基底芯片單元、基板封裝單元和粘合劑構成。

2.根據權利要求1所述的用于芯片級封裝的密閉結構，其特征是，在基底芯片單元的外緣一周與封裝基板之間采用粘合劑進行環形密封以形成密閉結構。

3.根據權利要求1所述的用于芯片級封裝的密閉結構，其特征是，在基底芯片單元上具有半導體器件，半導體器件的焊墊在所述密閉結構之內，且通過焊墊凸起電性連接封裝基板上的焊墊或焊墊凸起。

4.一種用于芯片級封裝的密閉結構，其特征是，在封裝基板上具有環形的密封凸起；將基底芯片單元倒裝在封裝基板上，并在基底芯片單元與封裝基板的密封凸起之間采用粘合劑進行環形密封以形成密閉結構；封裝基板切割后得到基板封裝單元，所述密閉結構由基底芯片單元、基板封裝單元、粘合劑和密封凸起構成。

5.根據權利要求4所述的用于芯片級封裝的密閉結構，其特征是，所述密封凸起的位置對應于基底芯片單元的外緣一周；在基底芯片單元的外緣一周與封裝基板的密封凸起之間采用粘合劑進行環形密封以形成密閉結構。

6.根據權利要求4所述的用于芯片級封裝的密閉結構，其特征是，在基底芯片單元上具有半導體器件，半導體器件的焊墊在所述密閉結構之內，且通過焊墊凸起電性連接封裝基板上的焊墊或焊墊凸起。

7.一種用于芯片級封裝的密閉結構的制造方法，其特征是，包括如下步驟：

第1步，在基底晶圓上制造半導體器件，并在基底晶圓上生長焊墊凸起；

第2步，切割基底晶圓得到各個基底芯片單元；

第3步，在封裝基板上涂覆一圈環形凸起的粘合劑；

第4步，將基底芯片單元倒裝至封裝基板上，粘合劑將基底芯片單元與封裝基板之間形成密閉連接，從而在各個半導體器件外圍形成密閉結構；基底芯片單元上的焊料凸塊與封裝基板上的焊墊或焊墊凸起通過焊接連為一體；

第5步，進行封裝，并切割封裝基板得到封裝好的半導體器件。

8.根據權利要求7所述的用于芯片級封裝的密閉結構的制造方法，其特征是，

所述方法第3步改為：將基底芯片單元倒裝至封裝基板上，基底芯片單元上的焊料凸塊與封裝基板上的焊墊或焊墊凸起通過焊接連為一體；

所述方法第4步改為：在基底芯片單元和封裝基板之間涂覆一圈環形的粘合劑，粘合劑將基底芯片單元與封裝基板之間形成密閉連接，從而在各個半導體器件外圍形成密閉結構。

9.一種用于芯片級封裝的密閉結構的制造方法，其特征是，包括如下各個步驟：

第1步，在基底晶圓上制造半導體器件，并在基底晶圓上生長焊墊凸起；

第2步，切割基底晶圓得到各個基底芯片單元；

第3步，在封裝基板上生長一圈環形的密封凸起；

第4步，在封裝基板的密封凸起上涂覆一圈環形凸起的粘合劑；

第5步，將基底芯片單元倒裝至封裝基板上，粘合劑將基底芯片單元與封裝基板的密封凸起之間形成密閉連接，從而在各個半導體器件外圍形成密閉結構；基底芯片單元上的焊料凸塊與封裝基板上的焊墊或焊墊凸起通過焊接連為一體；

第6步，進行封裝，并切割封裝基板得到封裝好的半導體器件。

10.根據權利要求9所述的用于芯片級封裝的密閉結構的制造方法，其特征是，

所述方法第4步改為：將基底芯片單元倒裝至封裝基板上，基底芯片單元上的焊料凸塊與封裝基板上的焊墊或焊墊凸起通過焊接連為一體；

所述方法第5步改為：在基底芯片單元和封裝基板的密封凸起之間涂覆一圈環形的粘合劑，粘合劑將基底芯片單元與封裝基板的密封凸起之間形成密閉連接，從而在各個半導體器件外圍形成密閉結構。