[發明專利]半導體器件的金屬化有效
| 申請號： | 201510645378.1 | 申請日： | 2015-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN105514084B | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發明（設計）人： | 保羅·赫伊斯坎普;霍德弗里德·亨克里斯·約瑟夫斯·諾特曼斯 | 申請（專利權）人： | 安世有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 麥善勇;張天舒 |
| 地址： | 荷蘭*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 金屬化 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于包括金屬化堆疊，所述金屬化堆疊包括第一金屬化層和第二金屬化層；其中第一金屬化層通過多個堆疊的金屬間通孔而電連接到第二金屬化層，并且
多個堆疊的金屬間通孔包括第一金屬間通孔與第二金屬間通孔，其中所述第一金屬間通孔與第二金屬間通孔直接連接，而沒有中間連接。
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬化層被布置為連接到半導體管芯，第二金屬化層被布置為形成接合墊，并將電流傳送到器件管芯。
3.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于：進一步包括接觸通孔，所述接觸通孔被布置為將第一金屬化層電連接到半導體管芯的歐姆接觸。
4.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，第一金屬化層的垂直厚度小于第二金屬化層的垂直厚度。
5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述第一金屬間通孔鄰接第二金屬間通孔。
6.一種制造半導體器件的方法，其中半導體器件包括金屬化堆疊，其特征在于，所述方法包括：形成第一金屬化層與第二金屬化層；通過多個堆疊的金屬間通孔將第一金屬化層連接到第二金屬化層，從而使第一金屬化層通過多個堆疊的金屬間通孔與第二金屬化層電接觸，并且
多個堆疊的金屬間通孔形成為第一金屬間通孔和第二金屬間通孔，其中第一金屬間通孔和第二金屬間通孔形成為直接連接，而沒有中間連接。
7.如權利要求6所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：所述第一金屬化層形成為連接至半導體管芯，第二金屬化層形成接合墊，并傳送電流至器件管芯。
8.如權利要求6或7所述的制造半導體器件的方法，其特征在于，進一步包括形成被布置為將第一金屬化層電連接至半導體管芯的接觸的接觸通孔。
9.如權利要求6或7所述的制造半導體器件的方法，其特征在于：第一金屬化層的垂直厚度小于第二金屬化層的垂直厚度。
10.一種包括如權利要求1至5任一項所述的半導體器件的靜電放電保護器件。
11.一種包括如權利要求10所述的靜電放電保護器件的數據傳輸線或數據傳輸接口。
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