[發明專利]形成晶體管的方法、襯底圖案化的方法及晶體管

在審

• 申請號: 201510634787.1
• 申請日: 2015-09-29
• 公開（公告）號: CN105470121A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: P·C·布蘭特;F·J·桑托斯羅德里奎茲;A·R·斯特格納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

技術領域

本公開涉及一種形成晶體管的方法，一種襯底圖案化的方法以及晶體管。

背景技術

半導體器件(特別地，功率半導體器件如場效應晶體管(FET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT))廣泛應用于各領域應用例如汽車和工業應用。人們一直在嘗試提高半導體器件的性能。例如，嘗試通過減小作為IGBT中相鄰柵極溝槽的主體區域或臺面的寬度來提高IGBT的性能。相應地，需要提供一種方法，通過該方法臺面結構可以限定為均勻模式，臺面結構具有小寬度。

發明內容

本發明的目的是提供一種制造半導體器件的改進方法。進一步地，本發明的目的是提供所述半導體器件。

根據本發明，上述目的是通過獨立權利要求所要求保護的主題實現的。從屬權利要求限定了進一步實施例。

附圖說明

附圖用于進一步理解本發明的實施例，附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖示出了本發明的實施例并與描述一起闡述原理。通過較好地理解下面的詳細描述，很容易構想到本發明的其他實施例和許多優點。附圖中的元件不需要按比例繪制。相同附圖標記指定相應的類似部分。

圖1A至圖1F示出了執行根據一個實施例的方法時半導體襯底的橫截面視圖的示例。

圖1G概括了根據一個實施例的方法。

圖2A至圖2L示出了執行根據一個實施例的方法時半導體襯底的橫截面視圖的示例。

圖3A至圖3D示出了加工過程中半導體器件的橫截面視圖的進一步示例。

圖3E示出了根據一個實施例的半導體器件的橫截面視圖。

圖3F概括了根據另外的實施例的方法。

圖4A至圖4E示出了執行根據另外的實施例的方法時半導體襯底的橫截面視圖的示例。

圖4F概括了根據另外的實施例的方法。

具體實施方式

在下面的詳細描述中，將參考附圖進行描述，附圖構成描述的一部分并示出了能夠實踐本發明的特定實施例。在這一方面，方向術語“頂部”、“底部”、“前部”、“背部”、“首部”、“尾部”等用于指示所述附圖的方位。由于本發明的實施例的組件可以布置在一些不同的方位，方向術語僅用于說明目的而非進行限制。應該理解的是，可以利用其他實施例，也可以在不偏離權利要求限定的范圍的情況下進行結構和邏輯修改。

對實施例的描述并非對本發明的限制。特別地，下文描述的實施例的元件可以與不同實施例的元件組合在一起。

在下面描述中使用的術語“晶片”、“襯底”或“半導體襯底”可以包括具有半導體表面的任何以半導體為基礎的結構。晶片和結構應該理解為包括硅、絕緣體上的硅(SOI)、藍寶石上的硅(SOS)、摻雜和無摻雜半導體、基礎半導體支承的硅外延層和其他半導體結構。半導體不需要以硅為基礎。半導體也可以是硅鍺、鍺或砷化鎵。根據其他實施例，碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)可以形成半導體襯底材料。

附圖和描述通過在摻雜類型“n”或“p”旁邊指示“-”或“+”來說明相對摻雜濃度。例如，“n-”表示摻雜濃度低于“n”摻雜區域的摻雜濃度，“n+”摻雜區域的摻雜濃度高于“n-”摻雜區域的摻雜濃度。具有相同的相對摻雜濃度的摻雜區域并不一定具有相同的絕對摻雜濃度。例如，“n”摻雜區域可以具有相同或不同的絕對摻雜濃度。在附圖和描述中，為了更好地理解，通常摻雜部分標識為摻雜“p”或“n”。應該清楚理解的是，該標識并不旨在限制目的。摻雜類型可以是任意類型，只要能夠實現所描述的功能。進一步地，在所有實施例中，摻雜類型可以是反向的。

在本說明書中使用的術語“耦合”和/或“電耦合”并不旨在表示元件必須直接耦合在一起–干預元件可以提供在“耦合”或“電耦合”元件之間。術語“電連接”用于描述電連接在一起的元件之間的低電阻電連接。

此處使用的術語“具有”、“包含”、“包括”、“由…組成”等是開放式術語，指示所述元件或特征的存在，但不排除附加元件或特征。除非上下文明確說明，否則“一個”和“所述”包括單數和復數。