[發(fā)明專利]一種高鐵磁性能和鐵電性能的Bi0.9Er0.1Fe1?xCoxO3薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510634563.0 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN105271798B | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 談國強;鄭玉娟;樂忠威;楊瑋;夏傲;王通;任慧君 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西科技大學(xué) |
| 主分類號: | C03C17/22 | 分類號: | C03C17/22 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200 | 代理人: | 岳培華 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鐵磁性 性能 bi sub 0.9 er 0.1 fe co 薄膜 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于功能材料領(lǐng)域,涉及一種高鐵磁性能和鐵電性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
多鐵材料為在同一相中同時具有鐵電有序(反鐵電有序)、鐵磁有序(反鐵磁有序)或鐵彈有序,并且在一定溫度范圍內(nèi),這幾種有序相互耦合由此極大的改變了多鐵材料的性能。多鐵性(磁電)材料作為一種新型多功能材料,不但能用于單一鐵性材料的應(yīng)用領(lǐng)域,更在新型磁-電傳感器件、自旋電子器件、新型信息存儲器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景。BiFeO3是目前單相多鐵性磁電材料中唯一具有高于室溫的居里溫度850℃和尼爾溫度370℃的材料,因此受到了廣泛的研究。
但是由于BiFeO3的螺旋磁結(jié)構(gòu),使得BiFeO3呈G型反鐵磁性,在低電場下僅表現(xiàn)出微弱的鐵磁性,其較小的磁電耦合特性阻礙了其在多鐵方面的實際應(yīng)用。一般ABO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鐵電體需要B位離子的d軌道上沒有電子占據(jù)而呈d0態(tài)。而對于d軌道上沒有電子的結(jié)構(gòu),其無法形成局域磁矩,即無法產(chǎn)生任何種類的磁有序結(jié)構(gòu)。這兩種完全不同的物理性質(zhì)從理論上被證明是相互排斥的。BiFeO3材料在室溫下僅具有弱磁性,這將限制其進一步的發(fā)展。而若破壞BiFeO3的自旋調(diào)制結(jié)構(gòu),則可以使磁性得到增強。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高鐵磁性能和鐵電性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜及其制備方法,該方法中摻雜量容易控制,制備的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜均勻性好,且具有高鐵磁性能和鐵電性能,能夠提高BiFeO3薄膜的鐵磁性能。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種高鐵磁性能和鐵電性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜,其化學(xué)式為Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3,其中x=0.01~0.03,其晶型為菱方R3c:H與三斜P1相共存。
其飽和磁化強度為2.36~17.1emu/cm3,剩余磁化強度為0.24~6.2emu/cm3。
在1kHz頻率及750kV/cm測試電場下,其飽和極化強度為70.77~141.81μC/cm2、剩余極化強度為57.72~126.67μC/cm2、矯頑場為384~622kV/cm。
高鐵磁性能和鐵電性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜的制備方法,包括以下步驟:
步驟1,按摩爾比為0.945:0.10:1-x:x將硝酸鉍、硝酸鉺、硝酸鐵和硝酸鈷溶于溶劑中,攪拌均勻,得到Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3前驅(qū)液,其中Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3前驅(qū)液中金屬離子的總濃度為0.1~0.3mol/L,x=0.01~0.03,溶劑為乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液;
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