[發(fā)明專利]一種OLED顯示屏

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510629815.0
• 申請日: 2015-09-29
• 公開（公告）號: CN105140266A
• 公開（公告）日: 2015-12-09
• 發(fā)明（設計）人: 王立新
• 申請（專利權）人: 北京維信諾光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 毛廣杰

技術領域

本發(fā)明涉及一種OLED顯示屏。

背景技術

由于陽光反射的問題，影響對OLED鏡面屏的顯示內容的識別，一般常用的方式是通過在OLED鏡面屏的外部增設偏光片的方法，雖然可以解決陽光反射的問題，但同時降低了OLED鏡面屏的透光率，使透光率只有40%左右。陽光透過偏光片，進入屏體，通過鏡面反射的陽光，被偏光片過濾，這部分光變成的熱，保留在屏體內而影響屏體的使用和屏體的壽命。現(xiàn)有的解決方法中還包括設計有設計防投射單元,安裝在襯底、有機電致單元和密封單元中的至少一面,以防止有機電致發(fā)光顯示器的內部圖像投射到襯底上，例如三星專利（三星日本電氣移動顯示株式會社，申請?zhí)枺?3159727.0）中所記載，在發(fā)光開口以外放置黑色防反射材料進行防反射，存在開口內反射的問題，采用該種方法對反射的改善程度十分有限。

發(fā)明內容

本發(fā)明所需解決的是提供一種OLED顯示屏，其通過在OLED透明屏體的背面外部加薄膜層，提高OLED屏的透光率。

本發(fā)明提供一種OLED顯示屏，包括OLED屏體，所述OLED屏體的其中一個外表面增設薄膜層。

所述OLED屏體包括基板、第一電極層、有機發(fā)光材料層、第二電極層以及封裝蓋。

所述薄膜層通過貼設或噴鍍的方法設置于基板或封裝蓋的外部。

所述OLED屏體還包括設置在第二電極層與封裝蓋之間的CPL層。

所述薄膜層為黑色聚酰亞胺薄膜、PET黑色聚酯薄膜、多晶態(tài)或鈉米晶薄膜或納米管薄膜。

所述薄膜層的厚度為20nm～25μm。

所述第一電極層的材料ITO或AZO。

所述第二電極層的材料為金屬或金屬氧化物。

所述第二電極層的材料為Mg、Ag、Ca、Al、MnO3、ITO或AZO。

所述第二電極層的鍍膜的厚度小于40nm，優(yōu)選為20nm。

本發(fā)明的優(yōu)點在于：

本發(fā)明提供一種OLED顯示屏，陽光穿過其OLED屏體，被屏體背面的薄膜層吸收，進而不會形成反射，可以省掉偏光片，提高OLED顯示屏的透光率。經(jīng)測試本發(fā)明提供的OLED顯示屏的透光率可以達到60%左右，鏡面屏加偏光片的方法，透光率在40%，且其對比度維持在正常的使用范圍（5-10）內。本發(fā)明通過采用薄膜層使OLED顯示屏的熱量從屏體的背面散發(fā)到屏體外部，增加OLED顯示屏的散熱性能。

附圖說明

圖1：本發(fā)明提供的OLED顯示屏的結構示意圖。

圖中：1-基板；2-第一電極層；3-有機發(fā)光材料層；4-第二電極層；5封裝蓋；6-薄膜層。

具體實施方式

下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。

本發(fā)明提供一種OLED顯示屏，如圖1所示，包括OLED屏體，所述OLED屏體包括順次設置的基板1、第一電極層2、有機發(fā)光材料層3、第二電極層4以及封裝蓋5，本發(fā)明提供的技術方案是在所述OLED屏體的背面增加一層薄膜層6，該薄膜層6優(yōu)選為黑色導熱薄膜層，進而可以吸收照射進入OLED屏體內的光線，并向OLED屏體的外部導熱。

所述薄膜層6的材質優(yōu)選為具有吸光、導熱功能的黑色材料，目前常用的材料為黑色聚酰亞胺薄膜層、PET黑色聚酯薄膜、多晶態(tài)或鈉米晶薄膜或納米管薄膜，均是優(yōu)選的薄膜材料，當然采用其它黑色導熱材料制備的薄膜層也可以，該薄膜層6的厚度根據(jù)材料的選擇不同而不同，厚度以能達到最佳吸光效果為目的。當所述薄膜層6的材料為黑色聚酰亞胺時，該薄膜層6的厚度為25μm。當所述薄膜層6的材料為PET黑色聚酯薄膜時，該薄膜層6的厚度為0.025mm到0.25mm。所述多晶態(tài)或鈉米晶薄膜優(yōu)選為由純金靶材材制備的AIN/AWIN(多層)/W的多晶態(tài)或鈉米晶薄膜，厚度為20nm～200nm之間。所述納米管薄膜為具有寬波段效應的納米管薄膜，厚度在200nm至300nm之間。

所述第一電極層2或第二電極層4的厚度要薄于OLED鏡面屏中的相應厚度，其厚度以滿足使OLED屏體形成透明屏。

為了增加光的取出，在第二電極層與封裝蓋之間還可設置CPL層。

所述第一電極層1的材料為ITO或AZO。

所述第二電極層3的材料為金屬或金屬氧化物，可以進一步選擇為Mg、Ag、Ca、Al、MnO₃、ITO或AZO，而厚度小于40nm，優(yōu)選小于20nm。