[發明專利]一種藍寶石晶片的清洗工藝有效
| 申請號： | 201510628481.5 | 申請日： | 2015-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN105280477B | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 徐曉強;彭璐;黃博;王全新;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司37219 | 代理人： | 陳桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 藍寶石 晶片 清洗 工藝 | ||
1.一種藍寶石晶片的清洗方法，包括采用物理擦片配合超聲的步驟，包括步驟如下：
（1）擦片處理：用浸有有機溶劑的棉球擦拭藍寶石晶片表面1-3遍；
（2）超聲：將步驟（1）處理完成的藍寶石晶片置于有機溶劑中，進行超聲處理3-10分鐘；超聲波頻率為20-30KHz，所述有機溶劑是無水乙醇，超聲加熱溫度70℃；
（3）將步驟（2）處理完成的藍寶石晶片置于硫酸雙氧水的混合溶液中涮洗5-60秒；所述的硫酸雙氧水的混合溶液是質量分數95%-98%的硫酸與質量分數30%的雙氧水按1:0.5體積比的混合；
（4）將步驟（3）處理完成的藍寶石晶片通過用去離子水噴淋、下給水并通氮氣的方式清洗3-5分鐘；
（5）將步驟（4）處理完成的藍寶石晶片在甩干機內旋干或者使用氮氣吹干。
2.如權利要求1所述的藍寶石晶片的清洗方法，其特征在于步驟（1）中所述的有機溶劑是無水乙醇或丙酮。
3.如權利要求1所述的藍寶石晶片的清洗方法，其特征在于步驟（2）中所述的超聲波頻率為30Khz。
4.如權利要求1所述的藍寶石晶片的清洗方法，其特征在于步驟（3）中藍寶石晶片在硫酸雙氧水的混合溶液中涮洗時間為10-20秒。
5.如權利要求1所述的藍寶石晶片的清洗方法，其特征在于步驟（4）中所述氮氣純度≥99.999%；所述氮氣壓力為0.1-0.3MPa。
6.如權利要求1所述的藍寶石晶片的清洗方法，其特征在于步驟如下：
（1）將藍寶石晶片放置在超凈臺內，用鑷子夾取蘸有無水乙醇的棉球在晶片上表面擦拭一遍，更換新的棉球后再次擦拭一遍；
（2）將步驟（1）擦拭完成的藍寶石晶片放置在無水乙醇中，在超聲儀器內進行超聲加熱5分鐘，使用超聲波加熱溫度70℃，超聲功率頻率為30Khz；
（3）將步驟（2）中超聲完成的晶片放置在盛有硫酸雙氧水的混合溶液中涮洗10秒鐘，硫酸：雙氧水=1000mL：500mL，硫酸濃度為98%，雙氧水濃度為30%；
（4）將步驟（3）中涮洗后的晶片放入快排沖洗槽內使用去離子進行水噴淋、下給水并通5N氮氣清洗5分鐘；
（5）將步驟（4）中清洗后的晶片放在甩干機內旋干。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
