[發明專利]N型雙面電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201510628285.8
• 申請日: 2015-09-28
• 公開（公告）號: CN105405899B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 張松;王培然;劉超;夏世偉;季海晨
• 申請（專利權）人: 上海大族新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖

1.一種N型雙面電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

將N型硅片的第一表面和第二表面進行制絨處理；

在所述N型硅片的第一表面上形成硼摻雜源層，采用第一激光參數，對所述第一表面進行激光處理，在所述第一表面上形成p+摻雜區域，并采用第二激光參數，對所述第一表面進行激光處理，在所述第一表面上形成p++重摻雜區域，所述p+摻雜區域和所述p++摻雜區域構成第一摻雜層，其中，p++重摻雜區域包括第二p++重摻雜區域和第一p++重摻雜區域，第二p++重摻雜區域位于N型硅片內，第一p++重摻雜區域和p+摻雜區域相鄰；

在所述N型硅片的第二表面上形成磷摻雜源層，采用第三激光參數，對所述第二表面進行激光處理，在所述第二表面上形成n+摻雜區域，并采用第四激光參數，對所述第二表面進行激光處理，在所述第二表面上形成n++重摻雜區域，所述n+摻雜區域和所述n++摻雜區域構成第二摻雜層，其中，n++重摻雜區域包括第二n++重摻雜區域和第一n++重摻雜區域，第二n++重摻雜區域位于N型硅片內，第一n++重摻雜區域和n+摻雜區域相鄰；

在所述第一摻雜層和所述第二摻雜層上分別形成第一鈍化減反射膜層和第二鈍化減反射膜層；

在所述第一鈍化減反射膜層和所述第二鈍化減反射膜層上分別制備電極。

2.根據權利要求1所述的N型雙面電池的制作方法，其特征在于，在所述將N型硅片的第一表面和第二表面進行制絨處理的步驟中，采用含有堿、異丙醇、添加劑以及水的混合溶液，對所述N型硅片的第一表面和第二表面進行制絨處理，所述堿、異丙醇、添加劑以及水的質量比為2.5:10:0.5:87。

3.根據權利要求1所述的N型雙面電池的制作方法，其特征在于，在所述在所述N型硅片的第一表面上形成硼摻雜源層，采用第一激光參數，對所述第一表面進行激光處理，在所述第一表面上形成p+摻雜區域，并采用第二激光參數，對所述第一表面進行激光處理，在所述第一表面上形成p++重摻雜區域，所述p+摻雜區域和所述p++摻雜區域構成第一摻雜層的步驟中，采用所述第一激光參數，對所述第一表面的整個表面進行激光處理，在所述第一表面的整個表面上形成p+摻雜層；采用所述第二激光參數，對所述p+摻雜層的特定區域進行激光重復掃描，所述p+摻雜層的特定區域中的硼摻雜源自所述第一表面向所述N型硅片內擴散，在所述第一表面上形成所述p++重摻雜區域，且所述p++重摻雜區域中的部分區域位于所述N型硅片內，所述p+摻雜層的除了所述特定區域的區域為所述p+摻雜區域。

4.根據權利要求1所述的N型雙面電池的制作方法，其特征在于，在所述在所述N型硅片的第一表面上形成硼摻雜源層，采用第一激光參數，對所述第一表面進行激光處理，在所述第一表面上形成p+摻雜區域，并采用第二激光參數，對所述第一表面進行激光處理，在所述第一表面上形成p++重摻雜區域，所述p+摻雜區域和所述p++摻雜區域構成第一摻雜層的步驟中，采用所述第一激光參數，對所述第一表面進行激光掃描；當所述激光掃描到所述第一表面的特定區域時，切換所述第一激光參數到所述第二激光參數，采用所述第二激光參數對所述特定區域進行激光掃描，所述特定區域中的硼摻雜源自所述第一表面向所述N型硅片內擴散，在所述第一表面上形成所述p++重摻雜區域，且所述p++重摻雜區域中的部分區域位于所述N型硅片內；采用所述第一激光參數，繼續掃描所述第一表面中剩余的未掃描區域，在所述第一表面的除了所述特定區域之外的區域形成所述p+摻雜區域。

5.根據權利要求3或4所述的N型雙面電池的制作方法，其特征在于，所述第一激光參數和所述第二激光參數均為：激光波長為355-1064nm；模式為脈沖模式、準連續模式或連續模式；脈沖寬度為30-300ns；掃描速率為1-1.2m/s；光斑直徑為30-100微米，掃描功率為5-100W。