[發明專利]用于熱管理的背側散熱器的集成

有效

• 申請號: 201510627492.1
• 申請日: 2015-09-28
• 公開（公告）號: CN105470218B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: A·維諾戈帕;M·丹尼森;L·哥倫布;H·尼古耶;D·愛德華茲
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民;趙志剛

本發明涉及用于熱管理的背側散熱器的集成。一種微電子器件(100)包括半導體器件(102)，其中，在該半導體器件(102)的前表面(104)處具有組件(108)并且在該半導體器件(102)的后表面(106)上具有背側散熱器層(110)。該背側散熱器層(110)的厚度為100納米至3微米，具有至少150瓦特/(米·開爾文)的層內導熱系數、以及小于100微歐姆厘米的電阻率。

技術領域

本發明涉及微電子器件的領域。更具體地，本發明涉及在微電子器件中的熱管理結構。

背景技術

具有局部生熱組件的半導體器件經歷導致降低可靠性的熱點。去除熱量同時保持期望的成本和結構形式因素已經是個問題。

發明內容

下面呈現簡單的概述以便提供對該發明的一個或更多方面的基本理解。此概述不是該發明的廣泛綜述，并且既不旨在標識該發明的關鍵或重要因素，也不旨在描繪其范圍。而是，該概述的主要目的是以簡化的形式呈現該發明的一些概念，作為之后呈現的更加詳細的描述的前序。

一種微電子器件包括半導體器件，在該半導體器件的前表面處具有組件并且在該半導體器件的后表面上具有背側散熱器層。該背側散熱器層的厚度為100納米至3微米，具有至少150瓦特/(米·開爾文)的層內導熱系數(in-plane thermal conductivity)、以及小于100微歐姆厘米的電阻率。

附圖簡要說明

圖1是具有背側散熱器層的示例性微電子器件的截面。

圖2是具有背側散熱器層的另一個示例性微電子器件的截面。

圖3是具有背側散熱器層的另一個示例性微電子器件的截面。

圖4是具有背側散熱器層的另一個示例性微電子器件的截面。

圖5A至圖5C描繪了形成具有背側散熱器層的微電子器件的示例性過程。

圖6描繪了一種用于在微電子器件上形成背側散熱器層的示例性方法。

圖7A和圖7B描繪了用于在微電子器件上形成散熱器層的另一個示例性方法。

具體實施方式

以下同時處于申請狀態的專利申請(co-pending patent application)是相關的并且通過以下引用結合在此：美國專利申請12/xxx,xxx(德州儀器案卷號TI-73378與此申請同時提交)。

參照這些附圖描述本發明。這些附圖不是按比例繪制的并且提供它們僅為了說明該發明。以下參照用于說明的多個示例性應用描述了該發明的若干方面。應當理解的是，列出許多具體的細節、關系和方法以提供對該發明的理解。然而，相關領域的技術人員將容易地意識到，能夠無需這些具體細節中的一個或更多細節或者使用其他方法來實踐該發明。在其他實例中，沒有詳細地示出眾所周知的結構或者操作以避免混淆該發明。本發明不受展示的行動或者事件的順序所限制，因為某些行動可以以不同的順序發生和/或與其他行動或者事件同時發生。此外，不要求所有展示的行動或者事件根據本發明實施方法。

為了本披露的目的，術語“微電子器件”可以指諸如集成電路或者離散半導體組件的半導體器件，可以指與其他半導體器件在一個薄片中的半導體器件，可以指安裝在襯底上的半導體器件，可以指在封裝中的半導體器件，以及可以指被密封在電絕緣材料中的半導體器件。