[發(fā)明專利]用于光頻整流器的方法和設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510627007.0
• 申請(qǐng)日: 2011-11-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105355705A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-02-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 保羅·H·庫(kù)特勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽特聯(lián)合控股有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/108
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/108
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;楊華

1.一種用于接收入射輻射并將所述入射輻射轉(zhuǎn)換為直流電流的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)選擇具有終止末端的天線的適當(dāng)實(shí)施方式，所述末端具有銳利邊緣，并且所述天線能夠接收所述入射輻射；

(b)確定所述入射輻射的輻射頻譜；

(c)對(duì)應(yīng)于所述輻射頻譜是窄還是寬，建立一組用于所述末端的幾何和材料參數(shù)；

(d)確定縫隙距離，所述縫隙距離足夠小以對(duì)所述頻譜中的最高頻率進(jìn)行響應(yīng)；

(e)沿所述天線的長(zhǎng)度感應(yīng)一組交流電流；

(f)計(jì)算所述感應(yīng)的交流電壓是否足夠大以用于場(chǎng)發(fā)射；

(g)基于所述末端的幾何非對(duì)稱性發(fā)起正向偏置和反向偏置；以及

(h)將正的凈直流電流傳送到外部電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述天線是貼片天線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述天線是觸須型天線。

4.一種用于接收入射輻射并將所述入射輻射轉(zhuǎn)換為直流電流的設(shè)備，所述設(shè)備進(jìn)一步包括：

(a)襯底；

(b)第一涂層，所述第一涂層層積在所述襯底上，并且從所述襯底的近端邊緣沿所述襯底的長(zhǎng)度延伸到中途；

(c)第一電極，所述第一電極層積在所述第一涂層上，并且從所述涂層的近端邊緣沿所述涂層的長(zhǎng)度延伸到中途；

(d)金屬天線，所述金屬天線層積在所述第一涂層上，并且從所述電極的遠(yuǎn)端邊緣沿所述第一涂層延伸，并延伸超過(guò)所述第一涂層的遠(yuǎn)端邊緣；

(e)等離激元層，所述等離激元層層積在所述金屬天線上，并且從所述電極的遠(yuǎn)端邊緣沿所述金屬天線延伸，并延伸超過(guò)所述金屬天線的遠(yuǎn)端邊緣，并且在所述遠(yuǎn)端端部處向下延伸以便覆蓋所述金屬天線；以及

(f)縫隙，所述縫隙由所述等離激元層的終止端部和所述涂層的終止端部形成，所述縫隙使第二電極與第二涂層偏移，其中，所述第二電極層積在所述第二涂層上，并且所述第二涂層層積在所述襯底上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述襯底是硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述第一涂層是二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述第二涂層是二氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述金屬天線還包括至少一個(gè)點(diǎn)接觸二極管，所述至少一個(gè)點(diǎn)接觸二極管進(jìn)一步包括：

(a)導(dǎo)體；

(b)納米線，所述納米線提供了接收天線功能和整流功能，所述納米線進(jìn)一步包括：

(i)銳利邊緣，所述納米線呈錐形并且在所述銳利邊緣處最窄；

(ii)薄絕緣層，位于透明導(dǎo)體與所述納米線之間；以及

(iii)點(diǎn)接觸結(jié)，所述銳利邊緣與所述薄絕緣層在所述點(diǎn)接觸結(jié)處相接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述銳利邊緣是點(diǎn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述銳利邊緣是線。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述銳利邊緣是環(huán)形。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中，所述點(diǎn)接觸結(jié)進(jìn)一步包括大約50nm²至200nm²數(shù)量級(jí)的小的接觸區(qū)域。

13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述納米線由具有高輻射吸收的金屬制成。

14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述納米線由具有低輻射反射率的金屬制成。

15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述納米線由具有高導(dǎo)電率的金屬制成。

16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述納米線由具有低電阻率的金屬制成。

17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述金屬?gòu)陌ㄒ韵虏牧系慕M中選擇：

(a)鎢；

(b)鉬；

(c)鎳；

(d)金；

(e)銀；以及

(f)銅。

18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述納米線的長(zhǎng)度為所述入射輻射的波長(zhǎng)的大約1/4。