[發(fā)明專利]加熱器的制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510619326.7 | 申請日: | 2015-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN105154855A | 公開(公告)日: | 2015-12-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黎靜;田青林;黎子蘭 | 申請(專利權)人: | 唐山實為半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 唐山永和專利商標事務所 13103 | 代理人: | 明淑娟 |
| 地址: | 063020 河北省唐山*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱器 制備 工藝 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種加熱器的制備工藝,屬于加熱器制備領域。
背景技術
半導體工藝通常需要在較高的溫度范圍內進行,而加熱器是實現(xiàn)所需工藝溫度的關鍵器件。以CVD為例,加熱器通常位于載盤的下方。通過給加熱器輸入功率,加熱器發(fā)熱所產生的熱量傳輸?shù)捷d盤,使得其達到所需的工藝溫度。在這些應用中,加熱器和載盤通常沒有直接的接觸,所以傳熱方式以輻射和氣流對流為主,在高溫的時候更主要通過輻射的方式對載盤等部件進行加熱。加熱器中的發(fā)熱體部分通常由片狀、棒狀或絞絲狀的具有一定電阻的材料構成。通過給發(fā)熱體通電,使發(fā)熱體達到較高的溫度,呈現(xiàn)紅熱狀態(tài),產生熱量向外輻射。發(fā)熱體熱輻射能力的高低對加熱器的整體效率最為重要。
發(fā)熱體的熱輻射能力以熱發(fā)射率來表征。物體的熱發(fā)射率在0到1之間,熱發(fā)射率越高越接近1,發(fā)射率越低越接近0。物體的熱發(fā)射率的大小由其材料和表面形貌等因素決定。已有的提高加熱器發(fā)熱體熱發(fā)射率的方法包括給發(fā)熱體主體材料表面覆蓋一層具有更高熱輻射率的材料。但是這種方法通常需要使用昂貴的鍍膜設備。并且所覆蓋材料在主體材料上的粘附能力通常不佳。由于主體材料和所鍍材料常常存在熱膨脹系數(shù)的差異,在加熱器使用的過程中容易造成鍍層的開裂和脫落。
發(fā)明內容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中存在的上述問題而提供了一種提高加熱體熱發(fā)射率的方法。通過將掩模和刻蝕相結合的方法提高加熱體的表面積,以達到提高加熱體熱發(fā)射率的目的。
本發(fā)明技術方案,包括以下步驟:
a、在加熱體表面涂敷掩模;
b、去除加熱體表面積10%~90%的掩模,
c、刻蝕加熱體暴露表面,形成具有刻蝕深度的圖案;
d、去除加熱體表面剩余掩模。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明的有益效果是:不需要使用鍍膜工藝和設備,降低了生產成本;避免了鍍膜的黏附性較差,鍍膜與加熱體主體材料熱膨脹系數(shù)通常存在差異的問題;采用掩模與刻蝕相結合的方法來增加加熱器的表面積,提高了加熱體發(fā)熱能力,且散熱效果良好,有效地提高了產品的使用壽命和使用溫度范圍;同時,通過選擇合適的掩模去除比例,可以準確地控制刻蝕時暴露表面的大小,有利于嚴格控制刻蝕后發(fā)熱體熱發(fā)射率的大小,提高了產品性能的穩(wěn)定性。
本發(fā)明優(yōu)選方案:
所述掩模為光刻膠或懸濁液固體顆粒。
所述掩模涂敷厚度為0.3~1.5微米。
步驟b中,采用曝光顯影光刻膠的方式去除掩模。
所述懸濁液中的固體顆粒粒徑為1~300微米。
所述懸濁液中的液體成分通過揮發(fā)去除,固體顆粒覆蓋加熱體的表面。
步驟c中,采用等離子體干法刻蝕或化學溶液濕法刻蝕加熱體暴露的表面,增加加熱體的表面積。
通過干法或濕法去膠去除加熱體表面的光刻膠。
步驟d中,通過在溶液中超聲清洗被刻蝕后的加熱體,去除加熱體表面的固體顆粒。
所述刻蝕深度在1~10微米,最大深度不得超過壁厚的20%。
附圖說明
圖1是加熱體上涂有光刻膠的示意圖(主視剖面圖)。
圖2是加熱體上將光刻膠去除一部分的示意圖。
圖3是對加熱體進行刻蝕后的結構示意圖。
圖4是最后產品的結構示意圖。
圖5是將加熱體上涂有懸濁液的示意圖。
圖6是懸濁液揮發(fā)后的示意圖。
圖7是對加熱體進行刻蝕的結構示意圖。
圖8是去除固體顆粒后的最后產品的結構示意圖。
具體實施例
下面結合實施例及其附圖對本發(fā)明作進一步說明。
以下實施例中均以鎢加熱體為例。
實施例1
本實施例,參見附圖1至附圖4,光刻膠1,加熱體2。
一種加熱器的制備工藝,按照如下步驟實施:
通過旋轉涂膠的方式將正性光刻膠1涂敷在鎢加熱體2的上表面,光刻膠1的厚度在1微米。
采用曝光顯影光刻膠的方式按規(guī)律以去除部分光刻膠1,暴露部分區(qū)域的鎢加熱體2表面,如圖所示,形成棋盤狀圖形。
使用質量濃度為10%硝酸溶液濕法刻蝕方法,對加熱體2暴露區(qū)域進行刻蝕,刻蝕深度在1.5微米,產生的圖形橫向特征尺寸在1微米,可形成棋盤狀的圖形(從俯視圖上看是棋盤狀的,是為了增加刻蝕面積而設置的橫縱交錯的結構形式)。
刻蝕結束后,可使用光刻膠剝離液(剝離液有多很種,其中一種是硫酸、雙氧水和水的混合液)去除加熱體2表面覆蓋的光刻膠1。
實施例2:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





