[發(fā)明專利]一種基于流體動力學的單細胞陣列化芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510618116.6 | 申請日: | 2015-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN105176795B | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 任大海;尤政;凌希信;梁煒彬;劉旸 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | C12M1/00 | 分類號: | C12M1/00 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246 | 代理人: | 黃家俊 |
| 地址: | 100084 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 流體動力學 單細胞 陣列 芯片 | ||
1.一種基于流體動力學的單細胞陣列化芯片,由玻璃基底(1)和帶流道的聚二甲基硅氧烷鍵合而成;所述流道包括主通道(2)、凹槽(3)、狹縫(4);主通道(2)為蛇形流道,一個凹槽(3)與一個狹縫(4)構成一個次通道,每個次通道中凹槽(3)與狹縫(4)相連通;主通道(2)的相鄰直線型流道通過次通道相連通;次通道在主通道(2)的相鄰直線型流道間并行排布,形成凹槽和狹縫陣列;其特征在于:
所述主通道(2)的深度為10μm~50μm;寬度為20μm~100μm;
所述凹槽(3)底部形狀為半圓形或半橢圓形或矩形,凹槽(3)的最寬處位于凹槽(3)與主通道(2)的相交處,凹槽(3)的最寬處寬度為10μm~50μm;凹槽(3)的長度為10μm~50μm,深度為10μm~50μm;用于使細胞優(yōu)先流經次通道,為單細胞陣列的形成提供空間;
所述狹縫(4)寬度為2μm~8μm,長度為2μm~30μm,深度為10μm~50μm;用于攔截流經凹槽(3)的細胞,形成單細胞陣列。
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