[發明專利]隧穿場效應晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 201510617025.0 | 申請日： | 2015-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN106558609B | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 許高博;殷華湘;徐秋霞 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11345 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 晶體管 及其 制造 方法 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510617025.0/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體器件及其形成方法
- 下一篇：一種半導體器件及其制備方法、電子裝置
- 同類專利
- 專利分類
