[發明專利]一種半導體結構的摻雜方法

在審

• 申請號: 201510615944.4
• 申請日: 2015-09-24
• 公開（公告）號: CN105161416A
• 公開（公告）日: 2015-12-16
• 發明（設計）人: 周正東;李誠瞻;史晶晶;劉國友;吳佳;丁榮軍
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種半導體結構的摻雜方法，其特征在于，包括：

對半導體結構分別進行P型雜質離子注入和N型雜質離子注入；

對離子注入后的半導體結構進行退火；

其中，所述退火過程包括：

升溫至第一激活溫度，在所述第一激活溫度保持第一預設時間；

從所述第一激活溫度升溫至第二激活溫度，在所述第二激活溫度保持第二預設時間；

降溫，完成退火。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述P型雜質的激活溫度小于所述N型雜質的激活溫度時，所述第一溫度為所述P型雜質的激活溫度，所述第二溫度為所述N型雜質的激活溫度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，當所述P型雜質的激活溫度大于所述N型雜質的激活溫度時，所述第一溫度為所述N型雜質的激活溫度，所述第二溫度為所述P型雜質的激活溫度。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述P型雜質離子注入和N型雜質離子注入后，對所述半導體結構進行退火前，還包括：

在所述半導體結構表面上濺射形成碳膜。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述濺射的溫度為20℃～500℃。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體結構為碳化硅半導體結構。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述P型雜質為鋁，N型雜質為氮。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一激活溫度為1500℃～1650℃，所述第二激活溫度為1700℃～1900℃。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一時間為3min～60min，第二時間為3min～30min。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述升溫至第一激活溫度前，還包括：

通入保護氣體，所述保護氣體為惰性氣體。