[發明專利]半導體器件及其形成方法有效
| 申請號： | 201510615851.1 | 申請日： | 2015-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN106558608B | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發明（設計）人： | 張城龍;何其暘;張海洋 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
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