[發(fā)明專利]基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510613680.9 | 申請日： | 2015-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN105137497B | 公開（公告）日： | 2018-06-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 肖立志;馮碩;朱明達;楊光;廖廣志 | 申請（專利權）人： | 中國石油大學（北京） |
| 主分類號： | G01V3/32 | 分類號： | G01V3/32 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋揚;黃健 |
| 地址： | 102249 北京市昌平區(qū)府學路18*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 轉換電路 諧振電路 控制器 單天線 雙工器 低場核磁共振儀器 低場核磁共振 核磁共振信號 并聯(lián)網絡 并聯(lián) 串聯(lián) 電感 發(fā)送射頻信號 調諧電容 功率電阻 時間常數(shù) 靈敏度 泄放 電路 恢復 檢測 | ||
1.一種基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，包括：諧振電路、轉換電路、雙工器、第一控制器和第二控制器；其中，
所述諧振電路包括調諧電容和電感，所述調諧電容和所述電感并聯(lián)；
所述轉換電路包括MOSFET電路和功率電阻，所述MOSFET電路與所述功率電阻串聯(lián)，所述轉換電路與所述諧振電路并聯(lián)構成并聯(lián)網絡；
所述雙工器與所述并聯(lián)網絡串聯(lián)；
所述第一控制器與所述雙工器連接，用于控制所述雙工器與射頻信號發(fā)送端連接或者與核磁共振信號接收端連接；
所述第二控制器與所述MOSFET電路連接，用于控制所述MOSFET電路開啟或關閉；
所述射頻信號發(fā)送端發(fā)送射頻信號時，所述第一控制器控制所述雙工器與所述射頻信號發(fā)送端連接，所述射頻信號發(fā)送結束后，所述第二控制器控制所述MOSFET電路開啟，以泄放所述諧振電路中的能量。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，還包括：
驅動電路，所述驅動電路連接在所述第二控制器與所述MOSFET電路之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，還包括：
耦合電容，所述耦合電容連接在所述雙工器與所述并聯(lián)網絡之間。
4.根據(jù)權利要求3所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，所述MOSFET電路包括第一MOSFET和第二MOSFET，其中，所述第一MOSFET的柵極和所述第二MOSFET的柵極相連，所述第一MOSFET的源極與所述第二MOSFET的源極相連。
5.根據(jù)權利要求4所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的類型相同。
6.根據(jù)權利要求1所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，所述第一控制器控制所述雙工器與所述射頻信號發(fā)送端斷開之前，所述第二控制器控制所述MOSFET電路關閉。
7.根據(jù)權利要求6所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，所述諧振電路中的能量泄放完成后，所述第一控制器控制所述雙工器與所述核磁共振信號接收端連接，由所述核磁共振信號接收端接收核磁共振信號。
8.根據(jù)權利要求7所述的基于MOSFET的低場核磁共振Q轉換電路，其特征在于，還包括：
功放電路，所述功放電路連接在所述雙工器與所述射頻信號發(fā)送端之間，用于對所述射頻信號進行功率放大；
前放電路，所述前放電路連接在所述雙工器與所述核磁共振信號接收端之間，用于對所述核磁共振信號進行放大。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油大學（北京），未經中國石油大學（北京）許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510613680.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
