[發(fā)明專利]提升晶圓離子植入劑量比例的離子布植方法與系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510610693.0
• 申請日: 2015-09-23
• 公開（公告）號: CN105655219B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡志昌;陸紅
• 申請（專利權(quán)）人: 漢辰科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/302
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 韋東

1.一種提升晶圓離子植入劑量比例的離子布植方法，其特征在于，所述方法包含：

提供晶圓與離子束，該晶圓有至少一個布植區(qū)域與至少一個非布植區(qū)域；以及

使所述晶圓在與離子束交錯的平面上進行橫向移動與縱向移動，藉以讓離子束僅僅掃描通過晶圓中布植區(qū)域而不會掃描通過晶圓中的非布植區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的離子布植方法，其特征在于，該離子束的橫截面的高度小于該晶圓的直徑。

3.如權(quán)利要求1所述的離子布植方法，其特征在于，所述方法至少一個橫向移動步驟和至少一個縱向移動步驟，所述橫向移動步驟使該離子束僅掃描通過所述布植區(qū)域而不會掃描通過所述非布植區(qū)域，任一所述縱向移動步驟用以在一個橫向移動步驟結(jié)束之后與下一個橫向移動步驟進行之前，將該晶圓縱向移動。

4.如權(quán)利要求3所述的離子布植方法，其特征在于，所述縱向移動步驟過程中該晶圓不會被該離子束所掃描通過。

5.如權(quán)利要求3所述的離子布植方法，其特征在于，所述方法還包括在一個橫向移動步驟結(jié)束之后與下一個橫向移動步驟進行之前轉(zhuǎn)動該晶圓。

6.如權(quán)利要求5所述的離子布植方法，其特征在于，每次轉(zhuǎn)動該晶圓時的轉(zhuǎn)動角度都是相同的。

7.如權(quán)利要求1所述的離子布植方法，其特征在于，該布植區(qū)域為條狀布植區(qū)域。

8.如權(quán)利要求5所述的離子布植方法，其特征在于，該晶圓轉(zhuǎn)動四次，每次90度，以形成十字條紋布植區(qū)域、窗格狀布植區(qū)域、正方形或長方形布植區(qū)域。

9.如權(quán)利要求5所述的離子布植方法，其特征在于，該晶圓轉(zhuǎn)動八次以上，以形成環(huán)狀布植區(qū)域。

10.一種離子布植系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)包含：

離子束總成，用以提供離子束；

晶圓承載機構(gòu)，用以將晶圓于與該離子束交錯的平面上移動；以及

控制單元，用以控制該離子束總成與該晶圓承載機構(gòu)執(zhí)行一離子布植方法，該離子布植方法包含：

當該晶圓有至少一個布植區(qū)域與至少一個非布植區(qū)域時，以在與離子束交錯的平面上進行橫向移動與縱向移動，藉以讓離子束僅僅掃描通過晶圓中布植區(qū)域而不會掃描通過晶圓中的非布植區(qū)域。

11.如權(quán)利要求10所述的離子布植系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包含用以控制該晶圓承載機構(gòu)的可程序多軸控制器。

12.如權(quán)利要求11所述的離子布植系統(tǒng)，其特征在于，該離子布植方法系藉由輸入?yún)?shù)值至該可程序多軸控制器執(zhí)行。

13.如權(quán)利要求12所述的離子布植系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包含：

傳感器，用以獲得該離子束的信息；以及

劑量仿真器，用以執(zhí)行掃描途徑分布，包含馬達速度分布與省略掃描分布，以找出符合晶圓劑量分布需求的參數(shù)值。

14.如權(quán)利要求10所述的離子布植系統(tǒng)，其特征在于，該離子束總成所提供的離子束的橫截面高度小于該晶圓的直徑。

15.如權(quán)利要求10所述的離子布植系統(tǒng)，其特征在于，該控制單元所控制執(zhí)行的離子布植方法包含至少一個橫向移動步驟和至少一個縱向移動步驟，所述至少一個橫向移動步驟使得該離子束僅掃描通過所述布植區(qū)域而不會掃描通過所述非布植區(qū)域，任一所述縱向移動步驟用以在一個橫向移動步驟結(jié)束之后與下一個橫向移動步驟進行之前，將該晶圓縱向移動。

16.如權(quán)利要求15所述的離子布植系統(tǒng)，其特征在于，該控制單元使得所述縱向移動步驟過程中該晶圓不會被該離子束所掃描通過。