[發(fā)明專利]薄膜晶體管、像素結(jié)構(gòu)、顯示基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510608752.0 | 申請日： | 2015-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN105118865B | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙婷婷;楊通;王盛;樸求鉉 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 源極 漏極 像素結(jié)構(gòu) 顯示基板 顯示面板 顯示裝置 圓心對稱 平行 寬長比 數(shù)據(jù)線 幀切換 多段 溝道 像素 充電 閃爍 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括源極和漏極，其特征在于，所述源極和漏極的圖形彼此圓心對稱，用于在所述薄膜晶體管正負幀切換時保持所述薄膜晶體管特性不變，以使像素的保持電壓不變，且所述源極和漏極的圖形不相平行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和漏極的圖形為U型。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述U型的開口平行于數(shù)據(jù)線的方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述U型的開口垂直于數(shù)據(jù)線的方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求2～4任意一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極的U型開口與漏極的U型開口交叉在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和漏極的圖形包括連接在一起的多個U型圖形。
7.一種像素結(jié)構(gòu)，包括薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管采用權(quán)利要求1～6任意一項所述的薄膜晶體管。
8.一種顯示基板，包括多個像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)采用權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)。
9.一種顯示面板，包括顯示基板和與所述顯示基板對盒的對盒基板，其特征在于，所述顯示基板采用權(quán)利要求8所述的顯示基板。
10.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板采用權(quán)利要求9所述的顯示面板。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
