[發明專利]樣品堆棧結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201510603417.1
• 申請日: 2015-09-21
• 公開（公告）號: CN105445068A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 羅建興;李秀庭
• 申請（專利權）人: 華亞科技股份有限公司
• 主分類號: G01N1/28
• 分類號: G01N1/28
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種樣品堆棧結構，其特征在于，包含:

基底；

黏著層；以及

目標層，直接夾設于所述基底及所述黏著層之間。

2.根據權利要求1所述的樣品堆棧結構，其特征在于，所述樣品堆棧結構的最小尺寸不超過4000埃。

3.根據權利要求1所述的樣品堆棧結構，其特征在于，所述基底包含半導體材料。

4.根據權利要求3所述的樣品堆棧結構，其特征在于，所述目標層包含由所述半導體材料所組成的復合材料。

5.根據權利要求1所述的樣品堆棧結構，其特征在于，所述黏著層包含環氧樹脂。

6.根據權利要求1所述的樣品堆棧結構，其特征在于，更包含:

墊片，與所述黏著層結合。

7.根據權利要求1所述的樣品堆棧結構，其特征在于，更包含:

金屬墊，部分覆蓋所述基底的表面。

8.根據權利要求7所述的樣品堆棧結構，其特征在于，更包含:

第一溝渠，貫穿所述基底、所述目標層及所述黏著層。

9.根據權利要求8所述的樣品堆棧結構，其特征在于，更包含:

第一介孔，連接所述第一溝渠且貫穿所述基底、所述目標層及所述黏著層。

10.根據權利要求8所述的樣品堆棧結構，其特征在于，更包含:

第二溝渠，貫穿所述基底、所述目標層及所述黏著層，其中所述第二溝渠與所述第一溝渠設置在所述樣品堆棧結構的兩相對側。

11.根據權利要求10所述的樣品堆棧結構，其特征在于，更包含:

第二介孔，連接所述第二溝渠且貫穿所述基底、所述目標層及所述黏著層。

12.一種制備樣品堆棧結構的方法，其特征在于，包含:

提供芯片組，所述芯片組包含至少兩芯片，且各芯片包含基底及目標層；

切割所述芯片組至少四次，以形成樣品薄片及薄墊片，且各所述樣品薄片及各所述薄墊片具有肩部及底部，其中所述肩部包含所述基底及所述目標層；

將所述樣品薄片的目標層貼附至所述薄墊片的黏著層；以及

移除所述樣品薄片的底部，使所述樣品薄片的所述目標層及部分基底通過所述黏著層而結合至所述薄墊片，以形成所述樣品堆棧結構。

13.根據權利要求12所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，所述芯片組包含第一芯片及第二芯片，使所述第一芯片為所述樣品薄片且所述第二芯片為所述薄墊片。

14.根據權利要求12所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，所述黏著層包含環氧樹脂。

15.根據權利要求12所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，所述目標層包含由所述半導體材料所組成的復合材料。

16.根據權利要求12所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，所述樣品薄片的肩部是通過所述黏著層結合至所述薄墊片的底部。

17.根據權利要求12所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，更包含:

在移除所述樣品薄片的底部之后，在所述樣品薄片的所述基底上形成金屬墊。

18.根據權利要求12所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，更包含:

形成第一溝渠，所述第一溝渠占據所述目標層。

19.根據權利要求18所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，更包含:

形成第一介孔，連接所述第一溝渠且占據所述目標層。

20.根據權利要求18所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，更包含:

形成第二溝渠，所述第二溝渠占據所述目標層，其中所述第二溝渠與所述第一溝渠設置在所述樣品薄片的兩相對側。

21.根據權利要求20所述的制備所述樣品堆棧結構的方法，其特征在于，更包含:

形成第二介孔，連接所述第二溝渠且占據所述目標層。