[發(fā)明專利]IGBT高效驅(qū)動(dòng)電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510601441.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-09-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105119590A | 公開(公告)日: | 2015-12-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 程煒濤;胡少偉;董志意;王海軍;葉甜春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇中科君芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/567 | 分類號(hào): | H03K17/567;H03K17/687 |
| 代理公司: | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;張濤 |
| 地址: | 214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)菱*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | igbt 高效 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路,尤其是一種IGBT高效驅(qū)動(dòng)電路,屬于IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
對(duì)于IGBT的驅(qū)動(dòng),外置的驅(qū)動(dòng)電阻會(huì)影響IGBT損耗及開關(guān)時(shí)間、反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA)、短路電流安全工作區(qū)(SCSOA)、電磁干擾(EMI)、dv/dt、di/dt等參數(shù)。
目前,IGBT驅(qū)動(dòng)電路電阻的選取有圖1和圖2兩種方式,其中,圖1中IGBT的開通和關(guān)斷用同一種電阻,帶來(lái)的不足是針對(duì)一些高頻應(yīng)用(如頻率>=20KHz)關(guān)斷時(shí)電阻較大會(huì)帶來(lái)關(guān)斷損耗過大,器件發(fā)熱量大的問題。針對(duì)以上問題,提出圖2所示的改進(jìn)方案,開通和關(guān)斷時(shí)分別采用不同的電阻,這樣既能保證開通時(shí)的變化率不至過大同時(shí)也能保證關(guān)斷時(shí)的低關(guān)斷損耗。
但圖1和圖2針對(duì)輸出功率變化較大的場(chǎng)合(如電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電),一般驅(qū)動(dòng)電阻都是按照最大功率要求來(lái)進(jìn)行設(shè)置(為限制器件變化率,一般電阻較大),但實(shí)際工作中出現(xiàn)最大功率的時(shí)間只占其實(shí)際工況中很小的部分,使得低功率輸出場(chǎng)合IGBT因驅(qū)動(dòng)電阻過大,未工作在其最佳工作狀態(tài)導(dǎo)致器件溫升升高和整個(gè)系統(tǒng)工作效率的下降。此外,在半導(dǎo)體失效分析理論中,當(dāng)功率器件(IGBT)的溫度上升10℃時(shí),器件的壽命將減少一半。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種IGBT高效驅(qū)動(dòng)電路,其電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn),能有效延長(zhǎng)IGBT的使用壽命,提高IGBT電路的工作效率,安全可靠。
按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案,所述IGBT高效驅(qū)動(dòng)電路,包括IGBT器件;還包括連接在所述IGBT器件門極端的電阻群,所述電阻群內(nèi)包括若干驅(qū)動(dòng)電阻,電阻群內(nèi)相鄰驅(qū)動(dòng)電阻相應(yīng)的一端均通過可控開關(guān)連接,電阻群內(nèi)驅(qū)動(dòng)電阻的另一端均與IGBT器件的門極端連接,可控開關(guān)的控制端均與用于控制所述可控開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接,所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路與電流處理控制電路連接,電流處理控制電路與用于檢測(cè)流過IGBT器件導(dǎo)通電流的電流采樣電路連接;
電流采樣電路將采集IGBT器件的導(dǎo)通電流傳輸至電流處理控制電路內(nèi),電流處理控制電路根據(jù)所述接收的導(dǎo)通電流確定IGBT器件的輸出功率,并根據(jù)確定的輸出功率向開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路輸出對(duì)應(yīng)的開關(guān)使能信號(hào);開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路接收所述開關(guān)使能信號(hào),并根據(jù)所述開關(guān)使能信號(hào)向?qū)?yīng)的可控開關(guān)輸出開通驅(qū)動(dòng)信號(hào),以通過開通驅(qū)動(dòng)信號(hào)打開對(duì)應(yīng)的可控開關(guān),使得電阻群接入IGBT器件門極端的電阻值與所述IGBT器件的輸出功率相匹配。
所述電流采樣電路包括電流傳感器或電流互感器,電流采樣電路設(shè)置與IGBT器件連接的母線或輸出線上。
所述電阻群還與驅(qū)動(dòng)電壓VDD連接,所述可控開關(guān)包括MOS管,所述MOS管的源極端、漏極端分別與相鄰驅(qū)動(dòng)電阻連接,MOS管的柵極端與開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的輸出端連接。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):通過電流采樣電路對(duì)IGBT器件的導(dǎo)通電流進(jìn)行實(shí)時(shí)采樣,電流處理控制電路根據(jù)導(dǎo)通電流確定IGBT器件的輸出功率,并根據(jù)輸出功率向開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路傳輸開關(guān)使能信號(hào),開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)開關(guān)使能信號(hào)確定接入IGBT器件的驅(qū)動(dòng)電阻值以及相應(yīng)需導(dǎo)通的可控開關(guān),從而能使得電阻群內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電阻值與IGBT器件的輸出功率相匹配,能保證IGBT器件工作在最佳狀態(tài),能降低IGBT器件的工作溫度,提升IGBT器件所在電路的工作效率,延長(zhǎng)IGBT器件的使用壽命,也能降低IGBT器件的關(guān)斷損耗。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有IGBT器件的門極端連接驅(qū)動(dòng)電阻的示意圖。
圖2為現(xiàn)有IGBT器件的門極端同時(shí)連接開通電阻以及關(guān)斷電阻的示意圖。
圖3為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
如圖3所示:為了能有效延長(zhǎng)IGBT的使用壽命,提高IGBT電路的工作效率,本發(fā)明包括IGBT器件;還包括連接在所述IGBT器件門極端的電阻群,所述電阻群內(nèi)包括若干驅(qū)動(dòng)電阻,電阻群內(nèi)相鄰驅(qū)動(dòng)電阻相應(yīng)的一端均通過可控開關(guān)連接,電阻群內(nèi)驅(qū)動(dòng)電阻的另一端均與IGBT器件的門極端連接,可控開關(guān)的控制端均與用于控制所述可控開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路連接,所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路與電流處理控制電路連接,電流處理控制電路與用于檢測(cè)流過IGBT器件導(dǎo)通電流的電流采樣電路連接;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇中科君芯科技有限公司,未經(jīng)江蘇中科君芯科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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