[發明專利]一種高導熱金屬基電路板及其制備方法

在審

• 申請號: 201510601252.4
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN105120591A
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 王曉群;陳鏢
• 申請（專利權）人: 深圳市萊特寧新材料科技有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/05;H05K3/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種高導熱金屬基電路板，其特征在于，包括金屬基板、設置在所述金屬基板表面的導熱絕緣層、以及形成在所述導熱絕緣層上的電路，所述導熱絕緣層的材質包括涂料，所述涂料包括如下質量百分含量的原料組分：

聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物40-60％；

氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物30-40％；

助溶劑：5-10％；

稀釋劑：3-10％；

固化劑：0.5-1％；

上述各原料組分的總質量百分含量為100％。

2.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述導熱絕緣層的厚度為20-60微米。

3.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物中，聚對苯二甲酸乙二醇酯與聚對苯二甲酸丁二酯的質量比為2:2-6。

4.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物的質量百分含量為45-55％。

5.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物的質量百分含量為30-35％。

6.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物中，氧化鋁、氮化鋁與氮化硼的質量比為1:1-3:3-5，所述氧化鋁的顆粒粒徑為0.1-2微米、所述氮化鋁的顆粒粒徑為0.1-1.5微米，所述氮化硼的顆粒粒徑為0.1-1微米。

7.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述助溶劑為乙酰胺、醇類或醇醚類有機溶劑，所述稀釋劑為正丁醇、苯乙烯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯、丁酮、丙酮、苯甲醇、環己酮、醚醇。

8.如權利要求1所述的高導熱金屬基電路板，其特征在于，所述固化劑的主要成分為鄰苯二甲酸二丁酯。

9.一種高導熱金屬基電路板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物與助溶劑按比例混合，充分攪拌反應完全，得到漿料；取氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體，充分研磨混勻后，得到氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物，在氣氛保護，60-80℃溫度下，將所述氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物與上述所得漿料混合，再添加稀釋劑、固化劑，攪拌分散均勻，得到涂料，上述各原料按如下質量百分含量混合：

聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物40-60％；

氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物30-40％；

助溶劑：5-10％；

稀釋劑：3-10％；

固化劑：0.5-1％；

上述各原料組分的總質量百分含量為100％；

(2)取金屬基板，將上述所得涂料涂覆或印刷在所述金屬基板上，于140-170℃溫度下固化，形成導熱絕緣層；

(3)另取聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物，與導電粉混合，制作得到導電漿料，利用所述導電漿料在所述導熱絕緣層上直接印刷成電路，得到高導熱金屬基電路板。

10.一種高導熱金屬基電路板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物與助溶劑按比例混合，充分攪拌反應完全，得到漿料；取氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體，充分研磨混勻后，得到氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物，在氣氛保護，60-80℃溫度下，將所述氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物與上述所得漿料混合，再添加稀釋劑、固化劑，攪拌分散均勻，得到涂料，上述各原料按如下質量百分含量混合：

聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二酯的混合物40-60％；

氧化鋁、氮化鋁與氮化硼粉體混合物30-40％；

助溶劑：5-10％；

稀釋劑：3-10％；

固化劑：0.5-1％；

上述各原料組分的總質量百分含量為100％；

(2)取金屬基板，將上述所得涂料與激光激活粉混合均勻后涂覆或印刷在所述金屬基板上，于140-170℃溫度下固化，在所述金屬基板上形成導熱絕緣層；

(3)利用激光激活所述激光激活粉，在所述導熱絕緣層表面形成電路圖案，再通過化學鍍的方式形成電路，得到高導熱金屬基電路板。