[發明專利]在SOI襯底上具有減小的暗電流的前側成像器

有效

• 申請號: 201510601251.X
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN105552092B
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: D·迪塔特
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種前側圖像傳感器，包括：

襯底，在半導體材料中；

有源層，在半導體材料中；

光電二極管的陣列，形成在所述有源層中；以及

絕緣層，在所述襯底和所述有源層之間，

其中在工作中所述襯底被配置為偏置在低于所述有源層電壓的電壓處。

2.根據權利要求1所述的傳感器，其中，所述絕緣層是具有被選擇為在可見范圍內反射光子的厚度的氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的傳感器，進一步包括，在所述絕緣層和所述有源層之間的、與所述有源層具有相同導電類型的中間層，所述中間層具有比所述有源層更高的摻雜水平。

4.根據權利要求1所述的傳感器，其中，所述襯底和所述絕緣層是SOI襯底的整體部分。

5.根據權利要求1所述的傳感器，包括：

鈍化層，在所述有源層上；

彩色濾光器的陣列，在所述鈍化層上；以及

準直透鏡的陣列，在所述濾光器陣列上。

6.一種制造前側圖像傳感器的方法，包括以下步驟：

在SOI襯底上形成有源層；

在所述有源層中形成光電二極管陣列；

在所述有源層上形成彩色濾光器和準直透鏡的陣列；以及

在工作中將所述襯底偏置在低于所述有源層電壓的電壓處。

7.根據權利要求6所述的方法，包括步驟：

在所述SOI襯底和所述有源層之間的絕緣層上形成中間層，所述中間層具有與所述有源層相同的導電類型并且具有比所述有源層更高的摻雜水平。