[發明專利]基板處理方法有效
| 申請號: | 201510599307.2 | 申請日: | 2015-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN105470106B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發明(設計)人: | 基村雅洋 | 申請(專利權)人: | 株式會社思可林集團 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理槽 疏水劑 基板 基板處理 有機溶劑蒸氣 干燥基板 基板污染 疏水處理 清洗液 非活性氣體 表面除去 基板表面 基板供給 基板移動 清洗基板 圖案倒塌 有機溶劑 對基板 排出 腔內 | ||
本發明提供在除去疏水劑的工序中能夠防止基板污染的基板處理方法,所述疏水劑在用于防止基板的圖案倒塌的疏水處理中使用。基板處理方法包括:在處理槽內清洗基板的工序;在腔內形成有機溶劑蒸氣環境的工序;提升基板并將基板表面的清洗液置換成有機溶劑的工序;從處理槽排出清洗液的工序;使基板移動至處理槽的工序;對基板的表面進行疏水處理的工序;提升基板朝向基板供給有機溶劑蒸氣來從基板的表面除去疏水劑的工序;以及使用非活性氣體干燥基板的工序。因為在處理槽的上方進行疏水劑除去工序,所以能夠一邊抑制有可能在該工序中在處理槽內生成的微粒導致基板污染一邊干燥基板。
技術領域
本發明涉及利用處理液對半導體晶片或液晶顯示裝置的玻璃基板(下面,簡稱為基板)進行處理的基板處理方法。
背景技術
已知的基板處理裝置具有:處理槽,將基板浸漬于藥液或清洗液等;基板升降機構,使基板在處理槽與基板處理槽的上方空間之間移動;以及基板干燥機構,通過在處理槽的上方空間對基板吹送非活性氣體等使純水等的清洗液干燥。在這樣的基板處理裝置中,在使清洗液干燥時,會產生因在基板上的圖案內殘留的清洗液的毛細管現象導致的發生圖案塌陷的問題。
為了解決該問題,已知有通過預先在基板表面形成疏水性保護膜來減小干燥處理時液體作用于圖案的表面張力的技術(例如專利文獻1)。在該技術中,實施朝向處理槽內的基板供給疏水劑進行疏水化的疏水性處理工序。接著,通過朝向處理槽內的基板供給IPA(iso-Propyl alcohol:異丙醇),來實施將在基板的表面殘留的未反應的疏水劑置換成IPA后除去的異丙醇清洗處理。
專利文獻1:日本特開2010-114414號公報
根據專利文獻1的基板處理方法,能夠抑制干燥處理中的圖案塌陷。然而,在疏水性處理工序之后實施接下來的異丙醇清洗處理時,有時貯存槽中殘留的未反應的疏水劑與IPA反應生成硅酸等微粒。其結果是,擔心處理槽內的基板被微粒污染。
發明內容
因此本發明的目的在于提供:在維持基板的清潔度的狀態下,能夠防止圖案塌陷并使基板干燥的基板處理方法。
為了解決上述問題,第一發明的基板處理方法包括:清洗處理工序,將基板浸漬于貯存在處理槽中的清洗液中,使用清洗液清洗所述基板的表面;有機溶劑蒸氣形成工序,通過向對處理槽進行包圍的腔的內部環境供給有機溶劑蒸氣,在包括處理槽的上部空間在內的腔的內部環境形成有機溶劑蒸氣環境;有機溶劑置換工序,通過將基板提升至處理槽的上部空間來將在基板的表面附著的清洗液置換成有機溶劑;排液工序,排出處理槽內的清洗液;基板移動工序,使基板移動至處理槽內;疏水處理工序,通過對移動至處理槽內的基板的表面供給疏水劑,對基板的表面進行疏水處理;疏水劑除去工序,通過將基板提升至處理槽的上方,在處理槽的上方朝向所述基板供給有機溶劑蒸氣,除去在基板的表面殘留的未反應的疏水劑;以及干燥工序,通過朝向基板供給非活性氣體來干燥基板。
第二發明的基板處理方法的特征在于,在第一發明的基板處理方法中,有機溶劑為異丙醇。
第三發明的基板處理方法的特征在于,在第一發明或第二發明的基板處理方法中,在疏水劑除去工序中向基板供給的有機溶劑蒸氣的溫度高于在疏水處理工序中向基板供給的疏水劑的溫度。
根據本發明,通過在處理槽的內部執行疏水處理,將基板表面疏水化。因此,在朝向基板表面供給非活性氣體的干燥工序中能夠防止基板表面的圖案倒塌。此外,在疏水處理之后,在處理槽的上方執行除去在基板表面殘留的未反應的疏水劑的疏水劑除去工序。因此,在疏水處理之后,即使在處理槽的內部殘留的未反應的疏水劑與在疏水劑除去工序中使用的有機溶劑反應生成微粒,在該時間點基板位于處理槽的上方。因此,防止或抑制因疏水劑除去工序污染基板。因此,能夠在維持基板的清潔度的狀態下使基板干燥。
附圖說明
圖1是示出本發明的一實施方式的基板處理裝置的結構的示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





