[發(fā)明專利]一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510598924.0
• 申請日: 2015-09-18
• 公開（公告）號: CN105206716B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尹靈峰;李明鵬;王江波
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在藍寶石襯底上生長外延層，所述外延層包括在所述藍寶石襯底上依次生長的Al_1-xGa_xN緩沖層、N型層、發(fā)光層、P型層、金屬反光層，其中，0≤x≤1且x沿所述Al_1-xGa_xN緩沖層的生長方向逐漸增大；

將所述金屬反光層與永久基板鍵合，所述永久基板采用導(dǎo)電材料；

采用激光技術(shù)在所述外延層上開設(shè)從所述藍寶石襯底延伸到所述Al_1-xGa_xN緩沖層的劃道；

采用KOH溶液從所述劃道腐蝕所述外延層，將所述藍寶石襯底從外延層上剝離，所述KOH溶液的溫度為30-100℃，所述KOH溶液的摩爾濃度為1-30mol/L；

在所述Al_1-xGa_xN緩沖層上設(shè)置N電極；

采用劈裂技術(shù)將所述外延層和所述永久基板分割成多個發(fā)光二極管芯片，其中，所述永久基板為所述發(fā)光二極管芯片的P電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述劃道的深度為10-200μm，各所述劃道之間的距離為0.01-1mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述金屬反光層為NiAg、Ag、Al、NiAl、CrAl、Au或者Pt。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述將所述金屬反光層與永久基板鍵合，包括：

采用粘合膠將所述金屬反光層與所述永久基板鍵合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述粘合膠為硅膠或者環(huán)氧樹脂。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述將所述金屬反光層與永久基板鍵合，包括：

在所述金屬反光層上形成第一金屬層；

在所述永久基板上形成第二金屬層；

采用高溫壓合所述第一金屬層和所述第二金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述采用高溫壓合所述第一金屬層和所述第二金屬層，包括：

在200-400℃的溫度下，壓合所述第一金屬層和所述第二金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層為Au，所述第二金屬層為AuSn；或者，所述第一金屬層為AuSn，所述第二金屬層為Au；或者，所述第一金屬層和所述第二金屬層均為AuSn；或者，所述第一金屬層和所述第二金屬層均為Au。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為Si、Cu、Au或者Pt。