[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201510593650.6
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN105448827A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 中村勝
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種晶片的加工方法，其是沿著分割預定線將晶片分割成一個個器件并在各器件的背面安裝芯片粘接用的粘接膜的加工方法，在所述晶片的正面上呈格子狀形成有多條所述分割預定線，并且在由該多條分割預定線劃分出的多個區域內分別形成有所述器件，其特征在于，

所述晶片的加工方法包含：

晶片支承工序，將粘接膜安裝于晶片的背面，并將粘接膜側粘貼于切割帶的粘接層上，所述切割帶是在帶基材上鋪設所述粘接層而成的，所述粘接層通過照射紫外線而硬化；

紫外線照射工序，對該切割帶照射紫外線而使該粘接層硬化；以及

切削工序，使在外周具有切削刃的切削刀具旋轉，沿著分割預定線將晶片和粘接膜一起切斷，由此分割成一個個器件，

在該切削工序中，使切削刀具的切削刃切入到硬化后的粘接層中。