[發明專利]用犧牲支撐材料無塌陷干燥高深寬比結構的系統和方法

有效

• 申請號: 201510593234.6
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN105448778B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 羅特莎娜·李瑪麗;斯蒂芬·希拉德
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;李獻忠

1.一種用于干燥包括多個高深寬比(HAR)結構的襯底的方法，其包括：

在分別使用濕法蝕刻流體和濕法清洗流體中的至少一種來對所述襯底進行濕法蝕刻和濕法清洗中的至少一種且不干燥所述襯底之后：

使用包括支撐材料的溶劑置換在所述多個高深寬比(HAR)結構之間的流體，

其中，在所述溶劑汽化之后，所述支撐材料從溶液析出且至少部分地填充所述多個高深寬比(HAR)結構；以及

使所述多個高深寬比(HAR)結構暴露于非等離子體基刺激，以去除所述支撐材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐材料是聚合物基。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述暴露之前，沉積包括光生酸劑的膜，

其中，所述非等離子體基刺激包括輻射。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述暴露之前，沉積包括熱生酸劑的膜，

其中，所述非等離子體基刺激包括升高的溫度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述非等離子體基刺激被提供在所述多個高深寬比(HAR)結構的頂部部分處；并且，

響應于所述非等離子體基刺激，降解前緣通過所述支撐材料而從與所述多個高深寬比(HAR)結構的所述頂部部分相鄰的所述支撐材料的頂部部分移動至與所述多個高深寬比(HAR)結構的底部部分相鄰的所述支撐材料的底部部分。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個高深寬比(HAR)結構之間的所置換的所述流體包括所述濕法蝕刻流體和所述濕法清洗流體中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括用過渡流體置換所述濕法蝕刻流體和所述濕法清洗流體中的所述至少一種，并且，其中，所置換的所述流體包括所述過渡流體。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述非等離子體基刺激啟動所述支撐材料中的聚合物斷鏈。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述非等離子體基刺激啟動所述支撐材料中的解聚。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述非等離子體基刺激包括紫外(UV)光、一種或更多種化學品、一種或更多種化學蒸氣和升高的溫度中的至少一種。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，使用旋涂將包括所述支撐材料的所述溶劑施加至所述襯底。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法在處理室中執行，并且，還包括在使所述多個高深寬比(HAR)結構暴露于所述非等離子體基刺激期間和/或之后降低所述處理室中的壓強。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法在處理室中執行，并且，其中，所述濕法蝕刻和所述濕法清洗中的至少一種也在所述處理室中執行。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐材料包括聚(對位甲氧基-a-甲基苯乙烯)，并且，所述非等離子體基刺激包括酸和溫度中的至少一種。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述酸包括氫溴酸和三氟乙酸中的至少一種。

16.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐材料包括聚(鄰苯二甲醛)，并且，所述非等離子體基刺激包括酸和溫度中的至少一種。

17.根據權利要求1所述的方法，其中，所述支撐材料包括聚(甲基四氫化萘)衍生物，并且，所述非等離子體基刺激包括酸。