[發(fā)明專利]電氣設(shè)備的SF6自動充氣設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510589045.1 | 申請日: | 2015-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN105221926A | 公開(公告)日: | 2016-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅濤;孫曉凡 | 申請(專利權(quán))人: | 四川菲博斯科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | F17C5/06 | 分類號: | F17C5/06;F17C13/02;F17C13/04 |
| 代理公司: | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 胡川 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電氣設(shè)備 sf sub 自動 充氣 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及SF6氣體充放技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電氣設(shè)備的SF6自動充氣設(shè)備。
背景技術(shù)
SF6(六氟化硫)氣體是一種無毒、無色、無味、無嗅、非可燃的合成氣體,具有一般電解質(zhì)不可比擬的絕緣特性和滅弧能力,因此廣泛應(yīng)用于SF6電氣設(shè)備。
在SF6電氣設(shè)備使用的過程中,當(dāng)SF6電氣設(shè)備內(nèi)SF6氣體的壓力值下降到額定值,需要對SF6電氣設(shè)備進(jìn)行充氣,否則會影響SF6電氣設(shè)備工作。現(xiàn)有技術(shù)的做法是在SF6電氣設(shè)備上設(shè)置壓力表,通過人工定期讀取壓力表的壓力值來判斷壓力值是否下降到額定值。如果判斷到壓力值下降到額定值,再由人工手動進(jìn)行充氣。
然而,大多數(shù)電力設(shè)施都是實(shí)行無人值班,所以,SF6電氣設(shè)備的壓力值下降到額定值時(shí),無法第一時(shí)間得知,造成不能及時(shí)進(jìn)行充氣。而如果不能及時(shí)進(jìn)行充氣,則會造成SF6電氣設(shè)備非計(jì)劃停機(jī),進(jìn)而引發(fā)電網(wǎng)事故,存在嚴(yán)重的安全隱患。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種電氣設(shè)備的SF6自動充氣設(shè)備,能夠自動對SF6電氣設(shè)備進(jìn)行充氣。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種電氣設(shè)備的SF6自動充氣設(shè)備,包括SF6氣罐、第一電磁閥、第二電磁閥、第三電磁閥、第四電磁閥、第五電磁閥、第六電磁閥、第七電磁閥、第八電磁閥、氣泵、第一壓力檢測器、第二壓力檢測器、恒溫加熱器和控制器,所述控制器均連接所述第一電磁閥、第二電磁閥、第三電磁閥、第四電磁閥、第五電磁閥、第六電磁閥、第七電磁閥和第八電磁閥:所述SF6氣罐用于存儲高壓SF6氣體,所述SF6氣罐的外表面涂有涂料層,所述涂料層中摻雜有溫度敏感變色物質(zhì)和鋰基組分物質(zhì),當(dāng)所述SF6氣罐發(fā)生SF6氣體泄漏時(shí),泄漏的SF6氣體與鋰基組分物質(zhì)發(fā)生放熱反應(yīng),使所述涂料層升溫,并引起溫度敏感變色物質(zhì)變色;所述SF6氣罐連接所述第一電磁閥,所述第一電磁閥通過依次串聯(lián)的第二電磁閥、氣泵、第三電磁閥和第四電磁閥連接所述電氣設(shè)備的充氣口,所述第五電磁閥并聯(lián)在所述第一電磁閥和所述第二電磁閥之間的管道與所述氣泵和所述第三電磁閥之間的管道,所述第六電磁閥并聯(lián)在所述第二電磁閥和所述氣泵之間的管道與所述第三電磁閥和所述第四電磁閥之間的管道,所述第七電磁閥安裝在所述第三電磁閥和所述第四電磁閥之間的管道上,所述第八電磁閥安裝在所述第一電磁閥和所述第二電磁閥之間的管道上;所述第二電磁閥、所述氣泵、所述第三電磁閥和所述第七電磁閥構(gòu)成抽真空管路,所述第一電磁閥、所述第五電磁閥、所述氣泵、所述第六電磁閥和所述第四電磁閥構(gòu)成充氣管路,所述第一電磁閥和所述第八電磁閥構(gòu)成加氣管路;所述恒溫加熱器安裝在所述第四電磁閥和所述電氣設(shè)備的充氣口之間的管道上,所述恒溫加熱器包括開關(guān)電源、固態(tài)繼電器、加熱線圈、溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)芯片,所述加熱線圈和所述溫度傳感器緊貼管道設(shè)置,所述開關(guān)電源的輸入端連接市電,所述開關(guān)電源的正極輸出端與所述固態(tài)繼電器的正極相連,所述開關(guān)電源的負(fù)極輸出端與所述加熱線圈的一端相連,所述固態(tài)繼電器的負(fù)極與所述加熱線圈的另一端相連,所述固態(tài)繼電器的控制端與所述溫度調(diào)節(jié)芯片的控制端連接,所述溫度傳感器的輸出端與所述溫度調(diào)節(jié)芯片的輸入端連接;所述第一壓力檢測器用于檢測所述電氣設(shè)備內(nèi)的第一SF6氣體壓力值,并將所述第一SF6氣體壓力值發(fā)送給所述控制器;所述第二壓力檢測器用于檢測所述SF6氣罐內(nèi)的第二SF6氣體壓力值,并將所述第二SF6氣體壓力值發(fā)送給所述控制器;所述控制器用于接收所述第一SF6氣體壓力值和所述第二SF6氣體壓力值,并在所述第一SF6氣體壓力值低于第一預(yù)設(shè)壓力閾值時(shí),連通所述抽真空管路進(jìn)行抽真空,并在抽真空后連通所述充氣管路;在所述第一SF6氣體壓力值高于第一預(yù)設(shè)壓力閾值時(shí),切斷所述充氣管路;在所述第二SF6氣體壓力值低于第二預(yù)設(shè)壓力閾值時(shí),連通所述加氣管路,對所述SF6氣罐進(jìn)行補(bǔ)氣;在所述第二SF6氣體壓力值高于第二預(yù)設(shè)壓力閾值時(shí),切斷所述加氣管路;其中,所述第二預(yù)設(shè)壓力閾值大于所述第一預(yù)設(shè)壓力閾值,且所述控制器在任意時(shí)刻只接通所述抽真空管路、所述充氣管路和所述加氣管路中的一個(gè)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川菲博斯科技有限責(zé)任公司,未經(jīng)四川菲博斯科技有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510589045.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





