[發明專利]旨在集成于電路中的切斷件及包括該切斷件的組件

有效

• 申請號: 201510587753.1
• 申請日: 2015-09-15
• 公開（公告）號: CN105428174B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 鮑里斯·戈蒂埃;馬爾維娜·克拉弗里
• 申請（專利權）人: ABB法國公司
• 主分類號: H01H71/20
• 分類號: H01H71/20
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;瞿藝

1.一種旨在集成于電路中的切斷件，所述電路包括用于保護電氣設備免受雷電的裝置，所述切斷件相對于所述用于保護電氣設備的裝置串聯安裝，并且所述切斷件(1)包括：

-第一導電電樞(7)，與用于耦合到所述電路的第一耦合端子(3)電連接；以及第二導電電樞(9)，與用于耦合到所述電路的第二耦合端子(5)電連接；

-至少一個熔絲元件(11)，設置于所述第一導電電樞(7)和所述第二導電電樞(9)之間并與所述第一導電電樞(7)和所述第二導電電樞(9)電連接，所述至少一個熔絲元件(11)布置為當閾值強度的電流在閾值時間段內穿過它時熔化；

-用于在所述至少一個熔絲元件(11)熔化的情況中增加所述第一導電電樞(7)和所述第二導電電樞(9)之間的峰值電弧電壓的裝置(15)，所述用于增加峰值電弧電壓的裝置(15)包括設置在所述第一導電電樞(7)和所述第二導電電樞(9)之間的多個副導電電樞(31、33、35、37)，所述副導電電樞(31、33、35、37)由開口(49)隔開，

所述用于增加峰值電弧電壓的裝置(15)包括通過所述至少一個熔絲元件(11)中的第一熔絲元件(39)與所述第一導電電樞(7)電連接的副導電電樞(31)以及通過所述至少一個熔絲元件(11)中的第二熔絲元件(47)與所述第二導電電樞(9)電連接的另一副導電電樞(37)，

所述用于增加峰值電弧電壓的裝置(15)包括至少兩個另外的副導電電樞(33、35)，每個副導電電樞(31、33、35、37)通過所述至少一個熔絲元件(11)中的對應熔絲元件(41、43、45)與對應的相鄰副導電電樞(31、33、35、37)電連接。

2.根據權利要求1所述的切斷件，其中，構成所述熔絲元件(11)的材料的特征在于30微歐/毫米到300微歐/毫米之間的電阻率。

3.根據權利要求1或2中任一項所述的切斷件，其中，所述熔絲元件(11)截面在1mm²到3mm²之間。

4.一種組件，包括：

-集成至電路的用于保護電氣設備免受雷電的裝置；

-符合前述權利要求中任一項的切斷件(1)，集成至所述電路并相對于所述用于保護電氣設備的裝置串聯安裝。

5.根據權利要求4所述的組件，其中，所述切斷件(1)能從所述電路移除。

6.根據權利要求5所述的組件，其中，用于耦合到所述電路的所述耦合端子(3、5)由管腳構成。