[發明專利]一種高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法

有效

• 申請號: 201510585072.1
• 申請日: 2015-09-16
• 公開（公告）號: CN105203503B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 王占山;丁濤;馬彬;程鑫彬;焦宏飛;張錦龍;沈正祥
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: G01N21/49
• 分類號: G01N21/49
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司31200
• 代理人: 張磊

1.一種高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法，其特征具體步驟如下：

(1) 在帶有暗場模式的微分干涉顯微鏡旁邊設置532nm波長激光器，將激光束傾斜入射樣品表面的顯微鏡聚焦區域，通過目鏡可觀測到樣品表面激光散射光；

（2）將300nm~3μm直徑的人工氧化硅微粒旋涂在干凈的光學基板表面，分別使用暗場顯微模式下激光散射以及微分干涉顯微模式觀測人工微粒，分別記錄兩種模式下觀測的微粒大小，以此通過數據擬合建立微粒的尺度與其散射光面積的數量對應關系，實現對微粒缺陷散射光的量化定標；

（3）采用納米壓痕儀在光學基板表面制備600nm~4μm寬度的人工劃痕，分別采用暗場顯微模式下激光散射以及微分干涉顯微模式對比觀測人工劃痕，分別記錄兩種模式下觀測的劃痕大小，以此通過數據擬合建立劃痕的寬度與其散射光寬度的數量對應關系，實現對劃痕缺陷散射光的量化定標；

(4) 運用上述定標后的檢測方法開展對光學基板清洗后的表面進行劃痕缺陷以及微粒的空間分布全表面檢測。

2.根據權利要求1所述的高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法，其特征在于：所述步驟（1）中激光器波長為532nm。

3.根據權利要求1所述的高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法，其特征在于：所述步驟（1）中激光器垂直光斑直徑為2mm。

4.根據權利要求1所述的高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法，其特征在于：所述步驟（1）中激光器傾斜角度為30°~60°。

5.根據權利要求1所述的高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法，其特征在于：所述步驟（2）中氧化硅小球尺寸為0.3μm，0.6μm，1.0μm，2.0μm或3.0μm中任一種。

6.根據權利要求1所述的高功率激光薄膜元件用超光滑光學基板表面檢測方法，其特征在于：所述步驟（3）中人造劃痕寬度尺寸為0.6μm，1μm，2μm，3μm或4μm中任一種。